NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。A．半导体材料硅和锗的不同B．掺杂元素的不同C．掺杂浓度的不同D．P区和N区的位置不同

题目

NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。

A．半导体材料硅和锗的不同

B．掺杂元素的不同

C．掺杂浓度的不同

D．P区和N区的位置不同

相似考题

1.NPN型和PNP型晶体管的区别是()。A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同

2.A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管

3.在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管

4.测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管

参考答案和解析
D
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  • 第1题：

    用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和管脚依次为（）

    • A、PNP管，CBE
    • B、NPN管，ECB
    • C、NPN管，CBE
    • D、PNP管，EBC

    正确答案:B

  • 第2题：

    晶体三极管根据内部结构不同分为（）。

    • A、PNP型和NPN型
    • B、PNN型和NPP型
    • C、NPP型和PNP型
    • D、NPN型和NPP型

    正确答案:A

  • 第3题：

    用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。

    • A、PNP型，处于放大工作状态
    • B、PNP型处于截止工作状态
    • C、NPN型，处于放大工作状态
    • D、NPN型处于截止工作状态

    正确答案:C

  • 第4题：

    NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。

    • A、电量
    • B、电流
    • C、电压
    • D、功率

    正确答案:B

  • 第5题：

    国产晶体管3DG系列表示（）。

    • A、硅材料NPN型高频小功率三极管
    • B、锗材料PNP型高频大功率三极管
    • C、硅材料NPN型低频小功率三极管
    • D、锗材料PNP型低频大功率三极管

    正确答案:A

  • 第6题：

    根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第7题：

    那种PLC的输出形式，输出可以不考虑电源极性（）。

    • A、继电器输出
    • B、NPN型晶体管输出
    • C、PNP型晶体管输出
    • D、晶闸管输出

    正确答案:A

  • 第8题：

    PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

    • A、可以调换使用
    • B、不可以调换使用
    • C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

    正确答案:B

  • 第9题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是（）

    • A、由两种不同材料硅和锗制成的
    • B、渗入的杂质元素不同
    • C、P区和N区的位置不同

    正确答案:C

  • 第10题：

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第11题：

    晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。

    • A、NPN型晶体管；
    • B、PNP型晶体管；
    • C、硅管；
    • D、锗管。

    正确答案:A

  • 第12题：

    填空题
    NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。

    正确答案： 高,低
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。

    • A、PNP、PNP
    • B、NPN、NPN
    • C、PNP、NPN
    • D、PNN、NPP

    正确答案:C

  • 第14题：

    TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。

    • A、硅PNP型
    • B、硅NPN型
    • C、锗PNP型
    • D、锗NPN型

    正确答案:A

  • 第16题：

    如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型？


    正确答案: 基极对发射极和集电极由PN结构成。万用表负表笔接基极，正表笔分别接发射极和集电极，电阻小的是NPN型；反之，是PNP型。

  • 第17题：

    乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是（）。


    正确答案:效率高

  • 第18题：

    NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。


    正确答案:高；低

  • 第19题：

    在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。

    • A、PNP管的集电极
    • B、PNP管的发射极
    • C、NPN管的发射极
    • D、NPN管的基极

    正确答案:B

  • 第20题：

    已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）

    • A、NPN型锗管
    • B、PNP型锗管
    • C、NPN型硅管
    • D、PNP型硅管

    正确答案:A

  • 第21题：

    已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）

    • A、PNP型锗管
    • B、NPN型锗管
    • C、PNP型硅管
    • D、NPN型硅管

    正确答案:C

  • 第22题：

    测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）

    • A、NPN型锗管
    • B、PNP型锗管
    • C、PNP型硅管
    • D、NPN型硅管

    正确答案:A,C,D

  • 第23题：

    晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。


    正确答案:正确

  • 第24题：

    单选题
    测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。
    A

    硅PNP型

    B

    硅NPN型

    C

    锗PNP型

    D

    锗NPN型


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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