（4) 本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（）

第1题：

第2题：

第3题：

本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.

• A、金属
• B、小电阻
• C、绝缘体
• D、掺杂半导体

正确答案:C

第4题：

纯净的半导体又称（）半导体。

正确答案:本征

第5题：

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

• A、非本征
• B、本征

正确答案:B

第6题：

本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体

正确答案:错误

第7题：

在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

第8题：

在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）

• A、本征半导体
• B、N型半导体
• C、P型半导体
• D、杂质半导体

正确答案:B

第9题：

本征半导体中不含杂质，故又称为纯净半导体。

正确答案:正确

第10题：

下列物质中载流子最多的是（）。

• A、本征半导体
• B、掺杂半导体
• C、导体
• D、绝缘体

正确答案:C

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:空穴；五价；N；电子

第15题：

完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本证半导体。

正确答案:正确

第16题：

为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？

正确答案: 因为杂质能级（施主能级和受主能级）处于禁带中间，电子跃迁所需的能量较本征半导体中电子跃迁需能小，故N型或P型半导体较本征半导体更易导电。

第17题：

试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。

正确答案: ①导体中含有未满带，在外场的作用下，未满带上的电子分布发生偏移，从而改变了原来的中心堆成状态，占据不同状态的电子锁形成的运动电流不能完全抵消，未抵消的部分就形成了宏观电流；
②绝缘体不含未满带，满带中的电子不会受外场的作用而产生偏离平衡态的分布，而一些含有空带的绝缘体，也因为禁带间隙过大，下层满带的电子无法跃迁到空带上来形成可以导电的未满带，所以绝缘体不能导电；
③本本征半导体的情况和绝缘体类似，区别是其禁带能隙比较小，当受到热激发或外场作用时，满带中的电子比较容易越过能隙，进入上方空的允带，从而使材料具有一定的导电能力；
④掺杂半导体则是通过掺入异质元素，从而提供额外的自由电子或者额外的空穴以供下层电子向上跨越，使得跨越禁带的能量变低，电子更加容易进入上层的空带中，从而具有导电能力。

第18题：

N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）

• A、自由电子
• B、空穴
• C、硼元素
• D、磷元素

正确答案:D

第19题：

下列不属于本征半导体的是（）

• A、纯净半导体
• B、P型半导体
• C、杂质半导体
• D、N型半导体

正确答案:B,C,D

第20题：

纯净的半导体就是本征半导体。

正确答案:正确

第21题：

在本征半导体中掺入少量的3价元素就成为（）。

• A、P型半导体
• B、N型半导体
• C、PN结
• D、纯净半导体

正确答案:A

第22题：

第23题：

第24题：