A.<6
B.6-15
C.16-25
D.>25
第1题:
第2题:
2、某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
A.12A
B.25A
C.36A
D.40A
第3题:
一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3 。当氧化层厚度为0.1微米时,阈值电压为1.1V,则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为 V
第4题:
一个施密特触发器的正向阈值电压为4.5V,负向阈值电压为2V,则其回差电压为 。
A.4.5V
B.6.5V
C.2.5V
D.2V
第5题:
60、深感觉检查:是测试深部组织的感觉,如关节觉、位置觉、震动觉