38、已知某晶体管的PCM=800mW,ICM=500mA, U(BR)CEO=30V。若该管子在电路中工作电压UCE =10V,则工作电流IC不应超过_______________mA。
第1题:
第2题:
已知某三极管Pcm=100mw,Icm=20mA,Uceo=15V,试问以下四种情况下,哪种情况能正常工作()。
第3题:
在分压偏置电路中,增大Rc而管子还始终处于放大区,其余原件不变,那么静态工作点的变化情况()
第4题:
在放大电路中的交直流电压、电流用()表示。
第5题:
某晶体管的极限参数ICM=20mA,PCM=100mW,U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过()mA;当工作电压UCE=1V时,不得超过()mA;当工作电流IC=20mA时,CEU不得超过()V。
第6题:
某三极管的极限参数为ICM =30 mA、P=200 mW、UBR(CEO)=30V。当工作电压 UCE=10V时,工作电流IC不得超过()mA;当工作电压UCE=1V时, IC不得超过()mA;当工作电流IC=1mA时,UCE不得超过()V
第7题:
有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的()
第8题:
某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流不得超过()mA;若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过()mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过()V。
第9题:
3DG6型晶体管的ICM=20Ma,BUcE0=20V,PcM=100Mw,如果将它接在电路中,Ic=15Ma,UcE=10V,则该管()。
第10题:
在共发射极电路中,已知发射与集电极之间的电压Uce=6V,当Ib=0.1mA时,Ic=20mA,当Ic=38mA,求电流放大系数β的值。
第11题:
三极管3DG4的PCM=300mW,IC=10mA,管子的工作电压UCE等于()V。
第12题:
电路中某一电阻R上的电压为10V,电流为2mA,问该电阻阻值是多少?若将该电阻通以15mA的电流,则该电阻上的电压为多少?
第13题:
在使用三极管时,若集电极电流Ic超过最大允许电流Icm,则β值要增大()
第14题:
一桥式整流电路,要求输出12V直流电压和100mA电流,那么,关于整流二极管的最大反向工作电压URM和最大整流电流ICM,下面说法正确的为()。
第15题:
纯电感L、电容C串联接于某正弦交流电路中,UL=30V,UC=40V,则这个电路的总电压U为()。
第16题:
某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW,集电极最大允许电流ICM=500mA,在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA,UCE=6V,其后果为()
第17题:
某元件在电路中吸收20W的电功率,若电压为10V,则关联参考方向下的电流为-2A。
第18题:
表明晶体管质量优劣的主要参数是()。
第19题:
某乙类双电源互补对称功率放大电路中,电源电压为±20V,负载为8Ω,则选择管子时,要求U(BR)CEO大于()V,ICM大于()A,PCM大于()W。
第20题:
有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,V(BR)CEO=30V。若它的工作电压VCE=10V,则工作电流IC不得超过15mA;若工作电压VCE==1V,则工作电流IC不得超过150mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压VCE不得超过()V。
第21题:
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。
第22题:
在晶体管电路中Ie=Ib+Ic及uce=ucb+ube是符合节点电流及回路电压定律。
第23题:
在使用三极管时,若集电极电流Ic超过最大允许值Icm,则β值要下降。
第24题:
Ib,Ic,Uce均不变
Ib不变,Ic增大,Uce减小
Ib不变,Ic减小,Uce增大
Ib,Ic均不变,Uce减小