由于采用了CMOS工艺，EPLD具有很高的噪声容限。

题目

由于采用了CMOS工艺，EPLD具有很高的噪声容限。

相似考题

1.由于采煤工作面机械化程度不同,采煤工艺可分为()A.炮采，普采B.炮采，普采和综采C.炮采，普采，综采和综采放煤顶

2.目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?

3.微机化仪表中，若全部采用CMOS逻辑器件，则其噪声容限约为采用TTL逻辑器件时的( )倍。A．5倍B．3倍C．2倍D．1倍

4.CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大

更多“由于采用了CMOS工艺，EPLD具有很高的噪声容限。”相关问题

  • 第1题：

    下列没有语病的一句是（）。

    A. 一位农民向国家捐献了一枚古代玉佛珠，具有很高的工艺美术价值

    B. 一位农民为国家赠献了一枚古代玉佛珠，它具有很高的工艺美术价值

    C. 一位农民向国家赠献的一枚古代玉佛珠，具有很高的工艺美术价值

    D. 一位农民向国家捐献了一枚古代玉佛珠，其工艺美术价值很高


    正确答案：C

    Ａ项“一位农民，具有很高价值”不当。Ｂ项“它”指代不明。Ｄ项“其”指代不明，故本题正确答案为C。

  • 第2题：

    What tasks can only be performed in the default or admin VDC？（）

    • A、 EPLD upgrade， IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and rolling back a checkpoint
    • B、 EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and ACL capture enablement
    • C、 EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration and SNMP configuration
    • D、 EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and write erase

    正确答案:B

  • 第3题：

    由于铁磁性物质具有较大的磁导率，因此在建立磁通时，它们具有很高的磁阻。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    PLC由于采用现代大规模集成电路技术，采用严格的生产工艺制造，内部电路采取了先进的抗干扰技术，具有很高的可靠性。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    问答题
    解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

    正确答案： 目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：
    ①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容，从而提高器件的集成度与工作速度。
    ②多晶硅可以高温氧化，对多层布线非常有利。
    ③阈值电压低（取决于硅与二氧化硅的功函数差）。
    ④有利于采用等比例缩小法则。
    ⑤耐击穿时间长。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？

    正确答案： 与CMOS工艺相比，GaAs工艺具有速度高、噪声小、驱动能力强的优点。但其缺点是价格高、功耗大、成品率低。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    What tasks can only be performed in the default or admin VDC？（）
    A

     EPLD upgrade， IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and rolling back a checkpoint

    B

     EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and ACL capture enablement

    C

     EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration and SNMP configuration

    D

     EPLD upgrade， Cisco IOS ISSU， FCoE feature enablement， CoPP configuration， and write erase


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺

    正确答案： 高能量、低电流的离子注入；加热退火/扩散工艺；自对准双阱工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？

    正确答案： 由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小
    集成电路的串联电阻很大，影响器件性能
    NPN管和CMOS管共衬底，使得NPN管只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    CMOS包括哪几种具体工艺？

    正确答案： P阱CMOS工艺，N阱CMOS工艺和双阱CMOS工艺
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    什么是普采工艺方式？普采工艺的基本要点是什么？

    正确答案： 普采工艺方式是指用机械破煤和装煤、输送机运煤、单体支柱和铰接顶梁支护的采煤工艺系统。
    普采工艺的基本要点：
    ⑴.加强机道支护。方法有：向煤壁开窝架超前梁；落煤后立即打临时支柱；提高支柱初撑力和支护强度。
    ⑵.加强放顶线支护的稳定性。由于直接顶垮落或基本顶来压，往往因水平推力而推倒末排支柱，为此必须使末排支护不仅支撑力强，而且支护状态稳定，采用斜撑把排柱连锁起来，形成防护整体，必要时再加木垛等。
    ⑶.加强工作面端头维护。一般采用四对八根的走向大抬棚及十字梁支护。
    ⑷.加强工作面“三度”（支护强度、支护密度和支护刚度）管理。支护强度应以工作面最困难下能满足支架---围岩体系的平衡，不发生重大顶板事故为准。设计支护密度时必须掌握工作面所有支柱的实际阻力情况，加强金属支柱抽样试验和失效检查。
    提高支护刚度的主要措施有：①清除浮煤浮矸，保证支柱支在实顶实底上；②顶底板松软时穿鞋带帽。③严格支柱操作，保证支柱有足够的初撑力。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。

    正确答案： ①深埋层注入；
    ②倒掺杂阱注入；
    ③穿通阻挡层注入；
    ④阈值电压调整注入；
    ⑤轻掺杂漏区（LDD）注入；
    ⑥源漏注入；
    ⑦多晶硅栅掺杂注入；
    ⑧沟槽电容器注入；
    ⑨超浅结注入；
    ⑩绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    回采工艺种类有（）

    • A、炮采工艺
    • B、普采工艺
    • C、综采工艺
    • D、急倾斜各种采煤工艺
    • E、水采工艺
    • F、露天采煤工艺

    正确答案:A,B,C,D,E,F

  • 第14题：

    什么是炮采工艺方式？炮采工艺的基本要点是什么？


    正确答案:炮采工艺方式是指在长壁工作面用爆破方法落煤、爆破及人工装煤、输送机运煤和单体支柱支护的采煤工艺系统。
    炮采工艺的基本要点：⑴.爆破后煤壁平直，不留顶底煤，不崩坏顶板，不崩倒支柱⑵.尽可能采用爆破装煤或机械装煤，减轻劳动强度；⑶.遵循先支护后装煤的安全作业原则。爆破后先敲帮问顶、清出危石、伞檐等不安全因素，然后挖柱窝，打临时支柱，再边装煤，边打基本柱；⑷.当采用可弯曲刮板输送机运煤时，用移输送机器整体移输送机；⑸.应遵循先支后回的回柱作业顺序，即先打好新支柱，后回掉旧支柱，两者错距15～20m。回柱顺序沿工作面由上而下，由里向外，在近水平煤层中，也可分段平行作业。

  • 第15题：

    简述炮采、普采、综采工艺的适用条件？


    正确答案: 综采适用条件：煤层地质条件较好、构造少，上综采后能很快获得高产、高效。
    普采适用条件：推进距离短、形状不规则、小断层和褶曲较发育的工作面。
    炮采适用条件：根据我国的技术政策，凡条件适于机采的炮采面都要逐步改造成为普采面。

  • 第16题：

    与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）

    • A、噪声容限低
    • B、电源适用范围宽
    • C、功耗极低
    • D、扇出能力强

    正确答案:B,C,D

  • 第17题：

    问答题
    什么是CMOS工艺？

    正确答案： 同时制造出包含互补的P型和N型两种MOS原件的一种工艺过程
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。

    正确答案： N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底
    有源区——做晶体管的区域（G，D，S，B），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
    多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。
    有源区注入——P+，N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入
    接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。
    金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝
    通孔——两层金属连线之间连接的端子
    金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。

    正确答案： ①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P阱区→P阱硼注入→阱推进
    ②LOCOS隔离工艺：垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻NMOS管场区→NMOS管场区硼注入→场区选择氧化
    ③多晶硅栅结构工艺：去除氮化硅→栅氧化→多晶硅沉积→多晶掺磷→光刻多晶硅
    ④源/漏（S/D）注入工艺：光刻NMOS管源漏区→NMOS管源漏区磷注入→光刻PMOS管源漏区→PMOS管源漏硼注入
    ⑤金属互连的形成：BPSG沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射Si-Al-Cu→光刻金属互连
    ⑥制作压点及合金：钝化→光刻压焊窗口→合金
    ⑦参数测试。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    N阱CMOS主要工艺步骤是什么？

    正确答案： 1、底硅片的选择；
    2、作n阱场区氧化；
    3、作硅栅→形成源、漏区；
    4、成金属互连线。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    回采工艺种类有（）
    A

    炮采工艺

    B

    普采工艺

    C

    综采工艺

    D

    急倾斜各种采煤工艺

    E

    水采工艺

    F

    露天采煤工艺


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）
    A

    噪声容限低

    B

    电源适用范围宽

    C

    功耗极低

    D

    扇出能力强


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    PLC由于采用现代大规模集成电路技术，采用严格的生产工艺制造，内部电路采取了先进的抗干扰技术，具有很高的可靠性。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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