只有位错运动受到阻碍时，才可能导致位错增殖，否则一个位错滑移出晶体后，位错密度将减少。

题目

只有位错运动受到阻碍时，才可能导致位错增殖，否则一个位错滑移出晶体后，位错密度将减少。

相似考题

1.上坡行驶中从低一挡位换入高一挡位,只有车速达到高一挡位速度时,才可换人。此题为判断题(对，错)。

2.在4位有效信息上增加3位校验位后得到码长7位的海明校验码，它的检、纠错能力是()。A.纠一位错或检两位错 B.纠一位错且检两位错 C.只有纠错能力，没有纠错能力 D.只有纠错能力，没有检错能力

3.固溶体之所以比组成它的溶剂金属具有更高的强度和硬度是因为（）。A、溶质原子溶入后，形成了新的晶体结构B、溶质原子溶入后，增加了原子的排列密度，增大了原子之间的结合力C、溶质原子对位错运动起着障碍物的作用，使位错运动阻力增大D、溶质原子溶入后使位错容易在晶体中移动

4.位错运动后晶体不发生体积变化,这类运动称为()。

更多“只有位错运动受到阻碍时，才可能导致位错增殖，否则一个位错滑移出晶体后，位错密度将减少。”相关问题

  • 第1题：

    强化金属材料有不同的手段，其考虑的出发点都在于（）。

    • A、使位错增殖
    • B、制造无缺陷的晶体
    • C、使位错适当的减少

    正确答案:C

  • 第2题：

    位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）

    • A、随位错线运动方向而改变
    • B、始终是柏氏矢量方向
    • C、始终是外力的方向
    • D、垂直于柏氏矢量方向

    正确答案:C

  • 第3题：

    位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。

    • A、攀移
    • B、滑移
    • C、增值
    • D、减少

    正确答案:A

  • 第4题：

    位错的运动形式有哪些？阻碍位错运动的因素有哪些？


    正确答案:滑移运动、攀移运动；
    晶体结合键、点缺陷、其他位错、面缺陷、第二相粒子等；
    点缺陷、第二相粒子、位错、晶界、相界（主要因素）。

  • 第5题：

    位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。

    • A、位错不一定是直线
    • B、位错是已滑移区和未滑移区的边界
    • C、位错可以中断于晶体内部
    • D、位错不能中断于晶体内部

    正确答案:C

  • 第6题：

    判断题
    复位指令一次可以将某一个位存储区从某一开始的一个位或多个位（最多255个）置0。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    下面对刃型位错描述错误的是（）
    A

    位错既有切应变，又有正应变

    B

    位错线与晶体的滑移方向相平行

    C

    位错线运动方向与位错线垂直

    D

    位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。
    A

    螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移

    B

    刃位错只作滑移，螺位错只作攀移

    C

    螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移

    D

    螺位错只作滑移，刃位错只作攀移


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    置位指令一次可以将某一个位存储区从某一开始的一个位或多个位（最多255个）置1。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响，为什么？

    正确答案： 该位错塞积群对位错源的开动具有阻碍作用。因为该位错塞积群中的位错与位错源释放出的位错都是同号位错，位错之间存在排斥力，故位错塞积群形成的应力场对位错源的开动具有阻碍作用。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）
    A

    溶质原子再扩散到位错周围

    B

    位错增殖的结果

    C

    位错密度降低的结果


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）

    • A、溶质原子再扩散到位错周围
    • B、位错增殖的结果
    • C、位错密度降低的结果

    正确答案:A

  • 第15题：

    晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）


    正确答案:正确

  • 第16题：

    位错增殖


    正确答案: 晶体在受力过程中，位错发生运动，位错数目增加，位错密度变大的过程。

  • 第17题：

    单选题
    在晶体滑移过程中（）
    A

    由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少

    B

    由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高

    C

    由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少

    D

    由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    判断题
    一条置位指令只能对同一个存储区的一个位或多个位（最多255个）置1，若是对多个位操作时，这些位必须是连续的位。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    柏格斯矢量是位错的符号，它代表（）。
    A

    位错线的方向

    B

    位错线的运动方向

    C

    晶体的滑移方向


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    位错的运动形式有哪些？阻碍位错运动的因素有哪些？

    正确答案： 滑移运动、攀移运动；
    晶体结合键、点缺陷、其他位错、面缺陷、第二相粒子等；
    点缺陷、第二相粒子、位错、晶界、相界（主要因素）。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    强化金属材料有不同的手段，其考虑的出发点都在于（）。
    A

    使位错增殖

    B

    制造无缺陷的晶体

    C

    使位错适当的减少


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。
    A

    位错不一定是直线

    B

    位错是已滑移区和未滑移区的边界

    C

    位错可以中断于晶体内部

    D

    位错不能中断于晶体内部


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
    A

    攀移

    B

    滑移

    C

    增值

    D

    减少


    正确答案： A
    解析： 位错的攀移:指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。

  • 第24题：

    问答题
    一个位错环能否各部分都是螺型位错或各部分都是刃型位错，试说明之。

    正确答案： 不能
    位错环是弯曲闭合的，而一根位错线具有唯一的柏氏矢量，所以在位错环上必然有与柏氏矢量垂直的部分，也有与柏氏矢量垂直的部分，也就是说位错环是具有刃型位错和螺型位错的混合型位错。
    解析： 暂无解析

相关内容