具有不同的低频小信号模型。A．NPN管和PNP管B．BJT和FETC．EMOS和DMOSD．N-FET和P-FET

题目

具有不同的低频小信号模型。

A．NPN管和PNP管

B．BJT和FET

C．EMOS和DMOS

D．N-FET和P-FET

相似考题

1.晶体三极管低频小信号放大器能()。A.放大交流信号B.放大直流信号C.放大交流与直流信号

2.半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型，点接触型适用于（）信号区工作，面接触型适用于（）信号区工作。A、低频；低频B、低频；高频C、高频；低频D、高频；高频

3.生物电信号具有的特点是___；因此需要一种抗干扰能力强，可以放大低频信号甚至直流信号的放大电路，通常选用___电路A、幅值小，频率低；加法放大器 B、频率低，信噪比低；差动放大器 C、幅值小，信噪比低；差动放大器 D、幅值小，频率低，信噪比低；加法放大器 E、幅值小，频率低，信噪比低；差动放大器

4.调频信号是指（）.A、以低频信号调制载波的振幅，使载波振幅随低频信号的瞬时值变化，这种调制方式叫调频。B、以低频信号调制载波的频率，使载波频率随低频信号的瞬时值变化，这种调制方式叫调频。C、以高频信号调制载波的频率，使载波频率随高频信号的瞬时值变化，这种调制方式叫调频。D、以低频信号调制载波的振幅，使低频信号振幅随载波的瞬时值变化，这种调制方式叫调频。

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  • 第1题：

    从加载有低频信号的高频振荡中将低频信号提取出来的过程叫（）。


    正确答案:解调

  • 第2题：

    移频信号载频的频率变化是受（）调制信号控制的。

    • A、中频
    • B、高频
    • C、低频
    • D、超低频

    正确答案:C

  • 第3题：

    信噪比的定义是：在接收机的输出端（）的功率比值。

    • A、“低频信号+噪声”与“噪声”
    • B、“低频信号”与“噪声”
    • C、“低频信号+噪声+失真”与“噪声”
    • D、以上均不对

    正确答案:C

  • 第4题：

    同轴电缆干线传输系统特点（）。

    • A、传输信号损耗较小
    • B、干线中所需串接放大器的数量少
    • C、传输信号电平在不同季节会出现较大波动
    • D、双向传输接续较复杂
    • E、对高频信号的衰减量大，对低频信号的衰减量小

    正确答案:C,E

  • 第5题：

    可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    不同的系统具有不同的数学模型。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    高频信号发生器与低频信号发生器的主振级所采用的振荡电路不同。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    UM71接收器设备能区分不同载频的移频信号，并产生18种低频信号。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    调制的实质是（）。

    • A、频谱搬移，把调制信号从低频搬移到高频
    • B、频谱搬移，把调制信号从高频搬移到低频
    • C、把高频信号变为低频信号
    • D、把低频信号变为高频信号

    正确答案:A

  • 第10题：

    判断题
    UM71接收器设备能区分不同载频的移频信号，并产生18种低频信号。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    高频信号发生器与低频信号发生器的主振级所采用的振荡电路不同。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型，点接触型适用于（）信号区工作，面接触型适用于（）信号区工作。
    A

    低频；低频

    B

    低频；高频

    C

    高频；低频

    D

    高频；高频


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    关于移频机车信号的显示与低频信号的对应关系叙述中，（）是不正确的。

    • A、当机车接收到11Hz低频信号时，机车信号显示绿灯
    • B、当机车接收到15Hz低频信号时，机车信号显示黄灯
    • C、当机车接收到26Hz低频信号时，机车信号显示半红半黄灯
    • D、当机车由接收26Hz的低频信号转为无码接收时，机车信号显示白灯

    正确答案:D

  • 第14题：

    小同轴大综合电缆中断时，首先接通（）。

    • A、同轴管
    • B、高频组
    • C、低频组
    • D、信号线

    正确答案:A

  • 第15题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第16题：

    输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

    • A、正弦小信号
    • B、低频大信号
    • C、低频小信号
    • D、高频小信号

    正确答案:C

  • 第17题：

    什么叫三极管的低频小信号等效电路？


    正确答案:在低频小信号条件下将非线性的三极管用线性电路模型来代替的等效电路。

  • 第18题：

    小信号微变等效电路模型对放大电路进行交流分析时输入信号要求（）

    • A、正弦信号
    • B、低频大信号
    • C、低频小信号
    • D、高频小信号

    正确答案:C

  • 第19题：

    低频信号发生器的特点是频率调节方便，可调范围宽，波形失真小，但频率不太稳定。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    某AM信号检波并经隔直电容后的信号成分有（）

    • A、调幅波、低频信号、直流
    • B、载波、上下边频
    • C、载波、低频、直流
    • D、低频信号

    正确答案:D

  • 第21题：

    收发信机的超外差接收方式，是把不同工作频率的高频信号经过频率变换变成固定频率的（）再进行放大。

    • A、中频信号
    • B、低频信号

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    小信号选频放大器是一个（）放大器。
    A

    高频窄带

    B

    低频

    C

    高频宽带


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。

    正确答案： 场效应管是单极性器件，只有一种载流子对通道电流做出贡献，属于压控器件，通过栅极-源极的电压控制源极-漏极电流变化；使用GaAS半导体材料MISFET的截止频率可以达到60—70GHz，，HEMT可以超过100GHz，因此在射频电路设计中经常选用它们作为有源器件使用；双极型晶体管分为PNP和NPN两种类型，其主要区别在于各级的参杂类型不一致，属于电流控制器件，正常工作时，基极-发射极处于正偏，基极-发射极处于反偏；通过提高掺杂浓度和使用交指结构，可以提高其截止频率，使其可以在整个射频频段都能正常工作
    大信号模型是一个非线性模型，晶体管内部的等效的结电容和结电阻会发生变化，小信号模型是一个线性模型，可认为晶体管的个参数保持不变。
    能使用晶体管的大信号模型分析射频小信号。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    晶体管低频小信号放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同？高频小信号放大器能否用静态特性曲线来分析，为什么？

    正确答案： 晶体管低频小信号放大器采用的分析方法是折线分析法，在小信号条件下，叠加在BJT工作点上的交变电流电压之间的关系近似为线性关系。而高频小信号放大器，由于信号小，也可以认为它工作在晶体管的线性范围内。可用“线性四端网络”来等效，对线性网络的分析方法都适用于分析高频小信号放大器。为分析方便起见，低频小信号放大器采用h参数进行分析，高频小信号放大器采用y参数进行分析。
    高频小信号放大器不能用静态特性曲线来分析。因为晶体管特性曲线是在伏安平面上作出的反映晶体管直流电流电压的关系。如果电流电压以高频率变化，三极管内PN结的电容应必须考虑，电流电压关系不能在伏安平面上画出。
    解析： 暂无解析

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