MOS是()的简称。A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

题目
MOS是()的简称。

A、电荷耦合器件

B、金属氧化物半导体

C、电荷引动元件

D、其他

相似考题

1.静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点?

2.题2-2-3、 下列说法正确的是（）。A．MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。B．MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。C．MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。D．MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

3.下列说法正确的是 。A．MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。B．MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。C．MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。D．MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

4.静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？

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  • 第1题：

    下列关于MOS叙述正确的是 。

    A．增强型MOS没有原始的导电沟道

    B．增强型MOS有原始的导电沟道

    C．耗尽型MOS没有原始的导电沟道

    D．耗尽型MOS有原始的导电沟道


    衬底偏置效应会导致阈值电压变大

  • 第2题：

    强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型

    强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型


    正确

  • 第3题：

    在MOS管的版图绘制中，若有两个MOS管有源区共用，则可以判定这2个MOS管是串联关系。


    错误

  • 第4题：

    关于MOS电容，以下说法正确的是

    A．MOS电容是固定电容

    B．MOS电容就是MOS栅氧化层电容

    C．MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

    D．随着栅电压增加，MOS电容会减小


    MOS 电容在高频和低频时的特性是不一样的

  • 第5题：

    同种工艺下，不同MOS管版图形状区别也很大，其主要的原因是因为

    A．MOS管宽度参数不同

    B．MOS管长度参数不同

    C．MOS管衬底不同

    D．MOS管栅极电压不同


    MOS管宽度参数不同;MOS管长度参数不同

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