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  • 第1题:

    5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有() 答案1. 三者都是正逻辑电平。 答案2. 前两者是正逻辑电平,后者是负逻辑电平。 答案3. 三类器件可以直接互连。 答案4. 三类电平可以互相转换。

    A.错误

    B.正确

    C.错误,电平不同无法直接连接

    D.正确,可通过电平转换器件进行转换。


    正确

  • 第2题:

    CMOS逻辑门可以直接驱动TTL逻辑门,而TTL逻辑门不可以直接驱动CMOS逻辑门。()


    说法正确

  • 第3题:

    5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有()

    A.三者都是正逻辑电平。

    B.前两者是正逻辑电平,后者是负逻辑电平。

    C.三类器件可以直接互连。

    D.三类电平可以互相转换。


    正确

  • 第4题:

    双极型CMOS电路实现逻辑功能采用 器件,驱动输出级采用 射极跟随输出电路。

    A.NMOS;TTL

    B.CMOS;混合

    C.CMOS;TTL

    D.TTL;混合


    CMOS ; TTL

  • 第5题:

    2、下列说法中,哪些是错误的

    A.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

    B.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

    C.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍

    D.对CMOS结构的NOR3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍


    B