此题为判断题(对,错)。
第1题:
5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有() 答案1. 三者都是正逻辑电平。 答案2. 前两者是正逻辑电平,后者是负逻辑电平。 答案3. 三类器件可以直接互连。 答案4. 三类电平可以互相转换。
A.错误
B.正确
C.错误,电平不同无法直接连接
D.正确,可通过电平转换器件进行转换。
第2题:
CMOS逻辑门可以直接驱动TTL逻辑门,而TTL逻辑门不可以直接驱动CMOS逻辑门。()
第3题:
5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有()
A.三者都是正逻辑电平。
B.前两者是正逻辑电平,后者是负逻辑电平。
C.三类器件可以直接互连。
D.三类电平可以互相转换。
第4题:
双极型CMOS电路实现逻辑功能采用 器件,驱动输出级采用 射极跟随输出电路。
A.NMOS;TTL
B.CMOS;混合
C.CMOS;TTL
D.TTL;混合
第5题:
2、下列说法中,哪些是错误的
A.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力与低电平驱动能力相同
B.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
C.对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍
D.对CMOS结构的NOR3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍