N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底

题目
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）

A.满带中
B.导带中
C.禁带中，但接近满带顶
D.禁带中，但接近导带底
相似考题

1.关于能带描述正确的是()A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加

2.氢原子能级如图 5 所示， 当氢原子从 n=3 跃迁到 n=2 的能级时， 辐射光的波长为 656nm。以下判断正确的是（ ） A． 氢原子从 n=2 跃迁到 n=l 的能级时， 辐射光的波长大于 656nm B． 用波长为 325nm 的光照射， 可使氢原子从 n=1 跃迁到 n=2 能级 C． 一群处于 n=3 能级上的氢原子向低能级跃迁时最多产生两种谱线 D． 用波长为 633nm 的光照射时， 不能使氢原子从 n=2 跃迁到 n=3 能级

3.如图为氢原子能级示意图的一部分，则氢原子( )。 A．从n＝4能级跃迁到n＝3能级比从n=3能级跃迁到n=2能级辐射出电磁波的波长长 B．从n=5能级跃迁到n=1能级比从n=5能级跃迁到n=4能级辐射出电磁波的速度大 C．处于不同能级时．核外电子在各处出现的概率是一样的 D．从高能级向低能级跃迁时．氢原子核一定向外放出能量

4.原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间

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  • 第1题：

    在固体的能带理论中，能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽，取决于聚集的原子数目。（）


    答案：错
    解析：

  • 第2题：

    n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。


    正确答案:五价元素；三价元素

  • 第3题：

    一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。

    • A、高于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、无法确定

    正确答案:B

  • 第4题：

    p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

    • A、满带中
    • B、导带中
    • C、禁带中，但接近满带顶
    • D、禁带中，但接近导带底

    正确答案:C

  • 第5题：

    在多电子原子中，（n-1）d能级的能量总是大于ns能级的。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    填空题
    P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

    正确答案： 空穴,升高
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）中。
    A

    禁带

    B

    价带

    C

    导带

    D

    满带


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？

    正确答案： 当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级。该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级。
    当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方，距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级。
    施主能级距离导带底很近，施主杂质电离后，施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近，受主杂质电离后，价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    名词解释题
    半导体施主能级

    正确答案： 一个能级被电子占用时成中性，不被电子占据时带正电
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）
    A

    电子为多子

    B

    空穴为少子

    C

    能带图中施主能级靠近于导带底

    D

    能带图中受主能级靠近于价带顶


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    A

    从n =4能级跃迁到n=3能级比从n=3能级跃迁到n=2能级辐射出电磁波的波长长

    B

    从n=5能级跃迁到n =l能级比从n=5能级跃迁到n=4能级辐射出电磁波的速度大

    C

    处于不同能级时，核外电子在各处出现的概率是一样的

    D

    从高能级向低能级跃迁时.氢原子核一定向外放出能量


    正确答案： C
    解析：

  • 第12题：

    单选题
    当单个原子的核外电子处在某一层轨道上时（）
    A

    这个原子的能级就完全确定了

    B

    这个原子的能级形成连续的能带

    C

    这个原子的能级还受电子角动量、自旋的影响

    D

    原子核的自旋对能级没有影响


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    能带是许多原子聚集体中，有许多原子轨道组成的近似连续的能级带。（）


    答案：对
    解析：

  • 第14题：

    在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。


    正确答案:P型

  • 第15题：

    在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    如果氢原子中质子与电子的电荷增加一倍，则由n=2的能级跃迁到n=1的能级所产生的辐射光能量将增加的倍数为（）。


    正确答案:16

  • 第17题：

    孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 


    正确答案: ①能级分裂：将N个原子逐渐靠近，原子之间的相互作用逐渐增强，各原子上的电子受其它原子（核）的影响；最外层电子的波函数将会发生重叠，简并会解除，原孤立原子能级分裂为N个靠得很近的能级；原子靠得越近，波函数交叠越大，分裂越显著。
    ②能带形成：当两个原子靠近时，核外电子的交互作用逐渐增强，最外面的价电子最先产生交互作用，电子的能级发生交叠。因为越是处于外层的电子，其能量越高，能级量子数越大，所以这种能级交叠首先发生在价电子层，由于受到泡利不相容原理的限制，能级虽然发生交叠，但其中能态不能重叠，并且原子数量越多，这种交叠区的能级密度就越高，这种交叠结果使许多能级聚集到一起形成了能带。
    ③本征能量的函数的间断点出现在布里渊区的界面处，能级间断一定是在这些位置，但是材料中这些位置并不一定出现禁带，能隙的宽度等于晶格周期势函数的傅立叶展开式中相应项的系数的二倍，当能级的间断宽度达到一定程度而使得大多数电子不能够跨越时，便形成了禁带。
    ④材料的能带结构是指能带的具体构成形式，包括构成、排列方式、能级差和费米能级在其中位置等。

  • 第18题：

    填空题
    半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。

    正确答案： 被电子占有的几率为1/2的能级,禁带中央,电子和空穴数相等,电子数多于空穴数,N,空穴数多于电子数,P
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    A

    氢原子从n=2跃迁到n=1的能级时，辐射光的波长大于656nm

    B

    用波长为325nm的光照射，可使氢原子从n=1跃迁到n=2能级

    C

    一群处于n=3能级上的氢原子向低能级跃迁时最多产生两种谱线

    D

    用波长为633nm的光照射时，不能使氢原子从n=2跃迁到n=3能级


    正确答案： B
    解析：

  • 第20题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）。
    A

    禁带

    B

    满带

    C

    导带

    D

    价带


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    N型半导体的费米能级处于禁带（）。
    A

    中间

    B

    上部

    C

    下部

    D

    不确定.


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？

    正确答案： 一个第IV族元素Ge（4 价元素）被一个第V族元素As（5 价元素）所取代的情形， As原子和近邻的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。因为共价键是一种相当强的化学键，束缚在共价键上的电子能量很低， 从能带的角度来说， 就是处于价带中的电子。 多余一个电子受到As+离子静电吸引， 其束缚作用是相当微弱的，在能带图中，它位于带隙之中， 且非常接近导带底。这个电子只要吸收很小的能量，就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    A

    电子由n=2能级跃迁到n=1能级，放出光子为可见光

    B

    大量氢原子处于n-4能级时，电子向低能级跃迁能发出6种频率的光子

    C

    氢原子光谱是连续光谱

    D

    氢原子处于n=2能级时，电子可吸收2.54eV的能量跃迁到高能级


    正确答案： C
    解析：

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