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  • 第1题:

    题2-2-9、场效应管为()。

    A.电压控制电流型器件

    B.电流控制电流型器件

    C.电压控制电压型器件

    D.电流控制电压型器件


    C

  • 第2题:

    MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。


    N 沟道 增强型MOS管;P 沟道 增强型MOS管;N 沟道 耗尽型MOS管;P 沟道 耗尽型MOS管

  • 第3题:

    场效应管与BJT均属于电压控制型器件,其中场效应管是单极型器件,BJT是双极型器件。


    A

  • 第4题:

    9、测得某放大区工作的BJT三个电极电压分布为V1=9V,V2=6V,V3=6.7V,则可知()。

    A.电极1为基极,电极2为发射极,电极3为集电极

    B.电极1为发射极,电极2为集电极,电极3为基极

    C.电极1为集电极,电极2为发射极,电极3为基极

    D.电极1为集电极,电极2为基极,电极3为发射极

    E.电极1为发射极,电极2为基极,电极3为集电极

    F.该器件为NPN型

    G.该器件为PNP型

    H.依据已知条件无法判别该器件的类型


    由于锗BJT的|V BE |≈0.2V,硅BJT的|V BE |≈0.7V,现已知BJT的V B =-6V,电极C的V C =-6.2V,两者相差0.2V,故必有一个为基极,另一个为发射极。又因为,BJT的V A =-9V,故电极A是集电极,V B 、V C 均高于V A ,该BJT是PNP型。又因为V E >V B ,V B >V C ,所以C为基极,B为发射极。

  • 第5题:

    【单选题】三极管的输入特性是指当集电极与发射极之间的电压为某一常数时,加在三极管()与()之间的电压与基极电流之间的关系曲线。

    A.基极,集电极

    B.发射极,集电极

    C.发射极,基极

    D.集电极,基极


    当集射极电压UCE为定值时,加在三极管基极与发射极间的电压Ube与由它产生的基极电流IB之间的关系。