斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。()此题为判断题(对，错)。

题目
斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.超声探头的组成及其作用，不正确的是A、核心部分是压电材料，具有压电效应B、晶片背面填充吸声材料，有提高轴向分辨力的作用C、晶片前面贴以匹配层，除起保护晶片的作用外，无助于提高探头灵敏度D、电缆部分，仅提供高频电脉冲，无其他功能E、晶片前面的面材，有时还可改善声束聚焦

2.为了使工件只有单一的横波,斜探头入射角应选择在()和第二临界角之间。

3.下列关于压电效应和压电材料的描述，正确的是A．在压电晶片上施加机械压力其表面可产生电荷，这种现象为逆压电效应B．在压电晶片上施加交变电信号可产生晶片的机械振动，这种现象为正压电效应C．压电材料的厚度与超声响应频率无关D．压电材料一般需要磁场极化处理E．与高频率超声探头相比，低频率超声探头采用较薄的压电材料

4.超声波是由超声波探伤仪产生()并施加于探头,利用其晶片的压电效应而获得。A、反射B、衍射C、电振荡D、衰减

参考答案和解析
参考答案：错误
更多“斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。() ”相关问题

  • 第1题：

    用水浸法检查工件时，通常用于产生横波的方法是()

    A.用纵波垂直于界面发射到工件中去
    B.用两个不同振动频率的晶片
    C.沿Y轴切割石晶英晶体
    D.适当地倾斜探头

    答案：D
    解析：

  • 第2题：

    探头前保护膜的声阻抗公式，(Z=声阻抗)应是()

    A.Z保护膜=(Z晶片+Z工件)1/2
    B.Z保护膜=(Z晶片-Z工件)1/2
    C.Z保护膜=(Z晶片xZ工件)1/2
    D.Z保护膜=(Z晶片/Z工件)1/2

    答案：C
    解析：

  • 第3题：

    【单选题】单晶直探头发射超声波时，是利用压电晶片的（）。

    A．压电效应

    B．逆压电效应

    C．电涡流效应

    D．无法确定


    逆压电效应

  • 第4题：

    为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择除了入射角以外还应考虑()

    A.斜楔材料的纵波声速小于工件中的横波声速
    B.斜楔材料的纵波声速大于工件中的横波声速
    C.斜楔材料的纵波声速大于工件中的纵波声速
    D.以上都可以

    答案：A
    解析：

  • 第5题：

    为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择应考虑()

    A.合适的入射角
    B.合适的斜楔材料的纵波声速
    C.合适的斜楔材料的横波声速
    D.A和C

    答案：D
    解析：

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