Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()A.1GBB.8GBC.4GBD.2GB
题目
Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()
A.1GB
B.8GB
C.4GB
D.2GB
相似考题
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第1题：
某计算机数据总线为32位，地址空间从F0000000H到F007FFFFH映射为FLASH空间，若要实现FLASH的最大存储容量，至少需要______片16K×16bit的FLASH芯片。A.8
B.16
C.32
D.64答案：D解析：数据总线用于传送数据信息。数据总线是双向三态形式的总线，即它既可以把CPU的数据传送到存储器或输入输出接口等其他部件，也可以将其他部件的数据传送到CPU。数据总线的位数是微型计算机的一个重要指标，通常与微处理的字长相一致。地址总线是专门用来传送地址的，由于地址只能从CPU传向外部存储器或I/O端口，所以地址总线总是单向三态的，这与数据总线不同。地址总线的位数决定了CPU可直接寻址的内存空间大小。一般来说，若地址总线为n位，则可寻址空间为2n位。地址总线的宽度，随可寻址的内存大小而变，决定有多少的内存可以被存取。若要实现FLASH的最大存储容量，则用FLASH芯片布满整个FLASH空间，FLASH空间从F0000000H到F007FFFFH，容量为F007FFFFH-F0000000H+1=80000H，即512K，并且计算机的数据总线为32位，而每一片FLASH芯片的容量为16K×16bit，则至少需要512K/16K×2=64片。 -
第2题：
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）
- A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
- B、NAND的写入速度比NOR慢很多
- C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
- D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
正确答案:D -
第3题：
某微机系统的存储器地址空间为A8000H—CFFFH，若采用单片容量为16K×1位的SRAM芯片，问：系统存储容量为多少？组成该存储系统共需该类芯片多少？整个系统芯片组应为多少？
正确答案: ⑴存储容量＝CFFFFH-A80000H+1=28000H（B）=160KB
⑵所需要的芯片数＝构成内存的总数位／所用存储芯片的容量位数
＝160KB/16Kbit=160K×8Bit/16K×1Bit=80
⑶整个系统应分为：80/8=10个芯片组。 -
第4题：
Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。
正确答案:错误 -
第5题：
简述NOR Flash与NAND Flash的区别。
正确答案:1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区（Sector），而NAND Flash把整个存储区分成若干个块（Block），可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。
2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的，而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块进行的，执行一个写入／擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND Flash是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
4、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。
5、除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。
6、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据，8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。
7、NAND Flash读和写操作采用512B的块，基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。
8、NOR Flash容量通常在1MB～8MB之间。而NAND Flash用在8MB以上的产品当中。NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。
9、所有Flash Memory器件存在位交换现象，使用NAND Flash的时候，同时使用EDC/ECC（错误探测／错误纠正）算法，以确保可靠性。
10、NAND Flash中的坏块是随机分布的，NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
11、应用程序可以直接在NOR Flash内运行，NOR Flash的传输效率很高，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。
12、在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序（MTD），NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 -
第6题：
现有一存储体芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储器，需要多少这样的芯片？每块芯片需要多少寻址线？整个存储系统最少需要多少寻址线？
正确答案:4K×8/512×4=16片
每块芯片内有512个单元，故需要9根地址线 整个存储系统最少需要12根地址线 -
第7题：
Gen8服务器采用了iLO4芯片，其NAND flash容量大小为多少（）
- A、1GB
- B、8GB
- C、4GB
- D、2GB
正确答案:A -
第8题：
Gen8服务器采用了iLO4芯片，其NANDflash容量大小为多少（）。
- A、1GB
- B、8GB
- C、4GB
- D、2GB
正确答案:A -
第9题：
问答题说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别，使用时应如何选用？正确答案： NOR Flash具有以下特点：
（1）程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；
（2）可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
NAND Flash具有以下特点：
（1）以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
（2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
（3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
（4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
BNAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势
CNOR Flash写入和擦除速度较慢
D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
正确答案： D解析： NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的闪存技术；NOR Flash ROM的特点是以字节为单位随机存取，但NOR Flash ROM写入和擦除速度较慢，影响了它的性能。NAND Flash ROM以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢，编程较为复杂，因此大多作为数据存储器使用。数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NAND Flash，故D选项错误。 -
第11题：
问答题某微机系统的存储器地址空间为A8000H—CFFFH，若采用单片容量为16K×1位的SRAM芯片，问：系统存储容量为多少？组成该存储系统共需该类芯片多少？整个系统芯片组应为多少？正确答案： ⑴存储容量＝CFFFFH-A80000H+1=28000H（B）=160KB
⑵所需要的芯片数＝构成内存的总数位／所用存储芯片的容量位数
＝160KB/16Kbit=160K×8Bit/16K×1Bit=80
⑶整个系统应分为：80/8=10个芯片组。解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题Gen8服务器是否可以安装G7服务器的内存？（）AGen8可兼容G7内存，但G7不兼容Gen8内存
BG7可使用Gen8内存，但Gen8不兼容G7内存
C相互不兼容
D相互兼容
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第13题：
在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中，正确的是______。A.EEPROM是电不可擦除的ROM
B.Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
C.NOR Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
D.ROM是用来存储数据的，其上面的数据可以随意更新，任意读取答案：B解析：本题考查嵌入式系统存储器方面的基础知识。在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。EPROM、EEPROM、Flash ROM（NOR Flash和NAND Flash），性能同ROM，EEPROM被称为电擦除的ROM。NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放量大的数据。由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM—样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行（XI P,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。但是NAND上面的代码不能直接运行。从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。RAM（random access memory，随机存储器）的内容可按需随意取出或存入，且存取速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序和数据。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对地，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。 -
第14题：
使用下列RAM芯片，组成所需的存储容量，文各需多少RAM芯片？各需多少RAM芯片组？共需多少寻址线？每块片子需多少寻址线？ （1）512×2的芯片，组成8KB的存储容量； （2）1K×4b的芯片，组成64KB的存储容量；
正确答案: （1）64片，16组，13，9；
（2）128片，64组，16，10。 -
第15题：
说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别，使用时应如何选用？
正确答案:NOR Flash具有以下特点：
（1）程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；
（2）可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
NAND Flash具有以下特点：
（1）以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
（2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
（3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
（4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。 -
第16题：
简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。
正确答案:NAND Flash模式：支持读／擦除／编程NAND Flash存储器。
自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。
具有硬件ECC产生模块（硬件生成校验码和通过软件校验）。
在NAND Flash启动后，Steppingstone4KB内部SRAM缓冲器可以作为其他用途使用。
NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/STM指令来代替DMA操作。 -
第17题：
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。
- A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
- B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势
- C、NOR Flash写入和擦除速度较慢
- D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
正确答案:D -
第18题：
已知一个SRAM 芯片的容量为8KB×8，该芯片的地址线为多少条？数据线为多少条？
正确答案:地址线13条，数据线8条。 -
第19题：
Gen8服务器是否可以安装G7服务器的内存？ （）
- A、Gen8可兼容G7内存，但G7不兼容Gen8内存
- B、G7可使用Gen8内存，但Gen8不兼容G7内存
- C、相互不兼容
- D、相互兼容
正确答案:D -
第20题：
问答题已知一个SRAM 芯片的容量为8KB×8，该芯片的地址线为多少条？数据线为多少条？正确答案： 地址线13条，数据线8条。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）ANOR的读速度比NAND稍慢一些
BNAND的写入速度比NOR慢很多
CNAND的擦除速度远比NOR的慢
D大多数写入操作需要先进行擦除操作
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题使用下列RAM芯片，组成所需的存储容量，文各需多少RAM芯片？各需多少RAM芯片组？共需多少寻址线？每块片子需多少寻址线？ （1）512×2的芯片，组成8KB的存储容量； （2）1K×4b的芯片，组成64KB的存储容量；正确答案： （1）64片，16组，13，9；
（2）128片，64组，16，10。解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析