在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。()此题为判断题(对，错)。

题目
在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.以下哪种结晶机制能够控制晶体的晶型()A、次级成核B、生长C、初级成核D、以上均可

2.整个结晶过程都必须将过饱和度控制在( )内。A.不稳区B.稳定区C.亚稳区D.成核区

3.19、由超声波发生器产生超声波，通过埋在相变材料中的电极诱发相变材料在接近熔点时成核，从而减小结晶水合盐过冷度的措施称为（）A．超声波成核法B．弹性势能法C．冷手指法D．搅拌法

4.在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。()此题为判断题(对，错)。

更多“在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。() ”相关问题

  • 第1题：

    1.过冷度对熔体析晶过程中晶粒数目多少的影响是（）

    A．过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒数目越多

    B．过冷度控制在成核速率较小处，则晶粒数目越多

    C．过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒数目越少

    D．过冷度控制在晶体生长速率较大处，则晶粒数目越多


    过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒数目越多

  • 第2题：

    25、判断 孪晶在变形过程中才会产生，在再结晶后不会出现孪晶


    B

  • 第3题：

    在熔体析晶的过程中，为获得尺寸、数量合适的晶粒，需严格控制过冷度，为获得尺寸大而数量少的晶粒，在控制过冷度时，需使析晶温度控制在（）。

    A．晶体生长速率较大而成核速率相对较小处

    B．成核速率较小且晶体生长速率较小处

    C．晶体生长速率较小而成核速率较大处

    D．成核速率较大且晶体生长速率较大处


    A

  • 第4题：

    11、过饱和曲线的位置主要影响因素有：（)

    A．产生过饱和度的速率

    B．加晶种的情况

    C．机械搅拌的速度

    D．以上因素都是


    以上因素都是

  • 第5题：

    14、影响晶体大小的主要因素是哪些？

    A．过饱和度

    B．温度

    C．搅拌速度

    D．晶种


    过饱和度;温度;搅拌速度;晶种

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