某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是A．第一层与第二层烧结温度一致B．第一层烧结温度比第二层低30～50℃C．第一层烧结温度比第二层低10～20℃D．第一层烧结温度比第二层高10～20℃E．第一层烧结温度比第二层高30～50℃

第1题：

第2题：

若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。

• A、低于体瓷烧结温度5℃
• B、低于体瓷烧结温度10℃
• C、高于体瓷烧结温度5℃
• D、高于体瓷烧结温度10℃
• E、以上均不正确

正确答案:D

第3题：

名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。

正确答案: （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。

第4题：

烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。

正确答案:软化温度

第5题：

第6题：

烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。（）

正确答案:错误

第7题：

烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。

正确答案:错误

第8题：

PFM烧结过程，下列说法正确的有（）

• A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
• B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
• C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
• D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
• E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温

正确答案:A,B,D,E

第9题：

第10题：