和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

题目

和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。

A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小

C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小

D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大


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  • 第1题:

    静态存储器的功耗和集成度比动态存储器要( )。

    A、大、小

    B、大、大

    C、小、小

    D、小、大


    正确答案:A

  • 第2题:

    下列关于动态存储器芯片的叙述正确的是()。 A、稳定性好,操作速度快 B、集成度高便于制成大容量存储器芯片,功耗低 C、稳定性差,但操作速度快 D、功耗低,操作速度快

    A.A

    B.B

    C.C

    D.D


    按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。

  • 第3题:

    8、半导体存储器按存取功能分有静态存储器和动态存储器2种。


    ROM和RAM

  • 第4题:

    从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。


    错误

  • 第5题:

    半导体存储器可分为双极型和MOS型两大类。前者的工作速度快,价格高。


    正确