DRAM电路简单，集成度【 】，成本低，需要自动刷新，速度较慢。

题目

DRAM电路简单，集成度【 】，成本低，需要自动刷新，速度较慢。

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1.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新;其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

3.下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

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  • 第1题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

    Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是( )。

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B

  • 第2题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D

  • 第3题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是正确的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：本题比较全面地考查了DRAM和SRAM的性质。DRAM是动态的，需要经常刷新，其集成度较高，因此成本较低，适合大容量的存储器。但是DRSM在数据读出和写入的时候需要刷新时间，而SRAM在存储数据的时候不需要自动刷新，只有在执行写命令时才发生刷新操作，因此工作速度快。所以Ⅱ和Ⅲ是错误的。

  • 第4题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D
    解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

  • 第5题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：①SRAM比DRAM存储电路简单。②SRAM比DRAM成本高。③SRAM比DRAM速度快。④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新。其中哪两个叙述是错误的?

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D
    解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为 DRAM的刷新．SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

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