图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM

题目

图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是

A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROM

B．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROM

C．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROM

D．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM

相似考题

1.图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM

2.手机中的闪速ROM(FLASHROM)指的是()。A、SRAMB、EPROMC、RAMD、EEPROM

3.PROM、PLA、和PAL三种可编程器件中,()是能编程的A.PROM的或门阵列B.PAL的与门阵列C.PLA的与门阵列和或门阵列D.PROM的与门阵列

4.随机存取存储器的英文缩写是()。A、ROMB、OCC、RAMD、PROM

更多“ 图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD．”相关问题

  • 第1题：

    下图为常见ROM的分类图。

    图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是

    A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM

    B．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROM

    C．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROM

    D．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM


    正确答案：A
    解析：本题考查主存储器的基本知识。PROM，EPROM，EEPROM，Flash ROM都是常见的ROM类型。

  • 第2题：

    1、下面发展历程正确的是：

    A．PAL àPROMàEPLD à CPLDàFPGAàSoC

    B．EPROMàEPLD àPAL àCPLDàFPGAàSoC

    C．PROMàPALàGALàEPLDà FPGA àSoC

    D．PROM àPLA àCPLD àFPGA àEPLD àSoC


    AB

  • 第3题：

    对下列几种ROM芯片，描述正确的是（)

    A．PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据

    B．FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

    C．EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。

    D．EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。


    FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

  • 第4题：

    Flash ROM本质上是一个EEPROM。


    正确

  • 第5题：

    10、对下列几种ROM芯片，描述正确的是（)

    A．PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据

    B．FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

    C．EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。

    D．EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。


    FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

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