在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )A．每次一个单元B．每次刷新512个单元C．每次刷新256个单元D．一次刷新全部单元

题目

在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )

A．每次一个单元

B．每次刷新512个单元

C．每次刷新256个单元

D．一次刷新全部单元

相似考题

1.动态RAM的刷新是以()为单位进行的。A存储单元B行C列D存储位

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

3.●动态RAM的特点是 (5) ，PC机的 (6) 一般由动态RAM构成。(5) A．工作中需要动态地改变存储单元内容B．工作中需要动态地改变访存地址C．每隔一定时间需要刷新D．每次读出后需要刷新(6) A．外存B．CMOS系统参数存储器C．CacheD．主存

4.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

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  • 第1题：

    动态RAM的特点是__。

    A.工作中存储内容动态地变化

    B.工作中需要动态地改变访存地址

    C.每隔一定时间刷新一遍

    D.每次读出后需根据原存内容全部刷新一遍


    正确答案:C

  • 第2题：

    动态RAM的特点是(12)，PC机的(13)一般由动态RAM构成。

    A．工作中需要动态地改变存储单元内容

    B．工作中需要动态地改变访存地址

    C．每隔一定时间需要刷新

    D．每次读出后需要刷新


    正确答案：C

  • 第3题：

    动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。

    A.集中刷新
    B.分散刷新
    C.同步刷新
    D.异步式刷新

    答案：A,B,D
    解析：
    ①集中式--正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器②分散式--将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点：不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低。③异步式--前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第4题：

    动态RAM的特点是（）。

    • A、每隔一定时间需要刷新
    • B、工作中需要动态地改变存储单元内容
    • C、每次读出后需要刷新
    • D、工作中需要动态地改变访存地址

    正确答案:A

  • 第5题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第6题：

    Intel 2164A芯片刷新时，只送入4个7位行地址进行刷新。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第8题：

    动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。

    • A、每次刷新1个单元
    • B、每次刷新256个单元
    • C、每次刷新512个单元
    • D、一次刷新全部单元

    正确答案:C

  • 第9题：

    问答题
    用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

    正确答案： 因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
    相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
    对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。
    A

    每次刷新1个单元

    B

    每次刷新256个单元

    C

    每次刷新512个单元

    D

    一次刷新全部单元


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）
    A

    RAM分为静态RAM和动态RAM两类

    B

    SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下

    C

    DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里

    D

    DRAM需要不断刷新


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )。

    A．每次一个单元

    B．每次刷新512个单元

    C．每次刷新256个单元

    D．一次刷新全部单元


    正确答案：B

  • 第14题：

    动态RAM的刷新是以()为单位进行的。

    A.存储矩阵
    B.行
    C.列
    D.存储单元

    答案：D
    解析：
    动态存储器是采用“读出”的方式进行刷新。因为MOS存储单元在读出过程中恢复了MOS管栅极电容电荷，就可以保持原单元的内容，所以读出过程就是刷新过程。一般来说在刷新过程中只改变行选地址，每次刷新一行。依次对存储器的每一行进行读出，就可以完成对整个DRAM的刷新。每次刷新一行只是从宏观的操作地址变化来说的，对于每一行的各个存储单元，要分别读出进行刷新。

  • 第15题：

    用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？


    正确答案:因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
    相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
    对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。

  • 第16题：

    需要刷新的存储器是_____。

    • A、EPROM；
    • B、EEPROM；
    • C、静态RAM；
    • D、动态RAM。

    正确答案:D

  • 第17题：

    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？


    正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
    或
    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。

  • 第19题：

    以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）

    • A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类
    • B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下
    • C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里
    • D、DRAM需要不断刷新

    正确答案:C

  • 第20题：

    动态RAM的特点是（）。

    • A、工作中需要动态地改变存储单元内容
    • B、工作中需要动态地改变存储地址
    • C、每隔一定时间需要刷新
    • D、每次读出后需要刷新

    正确答案:C

  • 第21题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？

    正确答案： 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
    或
    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    动态RAM的特点是（）。
    A

    每隔一定时间需要刷新

    B

    工作中需要动态地改变存储单元内容

    C

    每次读出后需要刷新

    D

    工作中需要动态地改变访存地址


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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