半导体存储器中,动态RAM的特点是( )
A.信息在存储介质中移动
B.按字结构方式存储
C.按位结构方式存储
D.每隔一段时间要进行一次刷新
第1题:
A、信息在存储介质中移动
B、按字结构方式存储
C、按位结构方式存储
D、每隔一定时间要进行一次刷新
第2题:
按__分类可将存储器分为随机、只读及顺序存储器。
A.功能
B.存储介质
C.存取方式
D.器件原理
第3题:
半导体存储器中,动态RAM是指( )。
A.信息在存储介质中移动
B.按字结构方式存储
C.按位结构方式存储
D.每隔一段时间要进行一次刷新
第4题:
在虚拟存储器中,辅存的编址方式是(73)。
A.按信息编址
B.按字编址
C.按字节编址
D.按位编址
第5题:
第6题:
在虚拟存储器中,辅有的编址方式是(16)。
A.按信息块编址
B.按字编址
C.按字节编址
D.按位编址
第7题:
第8题:
静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?
第9题:
动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?
第10题:
按存储的工作方式分类,存储器可分为()。
第11题:
按字结构方式存储
每隔一定时间进行一次刷新
信息在存储介质中移动
按位结构方式存储
第12题:
按位结构方式存储
按字结构方式存储
信息在存储介质中移动
每隔一定时间进行一次刷新
第13题:
A.磁表面存储器
B.半导体存储器(闪存)
C.光存储器
D.红外线存储器
E.紫外线存储器
第14题:
在半导体存储器中,动态RAM的特点是( )。
A.信息在存储介质中移动
B.按字结构方式存储
C.按位结构方式存储
D.每隔一定时间要进行一次刷新
第15题:
在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。
A.每次一个单元
B.每次刷新512个单元
C.每次刷新256个单元
D.一次刷新全部单元
第16题:
半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别在于()。
A.在掉电后,ROM中存储的信息不会丢失,RAM信息会丢失
B.掉电后,ROM信息会丢失,RAM则不会
C.ROM是内存储器,RAM是外存储器
D.RAM是内存储器,ROM是外存储器
第17题:
在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是______。
A.按位结构方式存储
B.按字结构方式存储
C.信息在存储介质中移动
D.每隔一定时间刷新一次
第18题:
在半导体存储器中,动态RAM的特点是
A.按字结构方式存储
B.按位结构方式存储
C.每隔一定时间要刷新一次
D.信息在存储介质中移动
第19题:
半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于()。
第20题:
下列说法正确的是()。
第21题:
在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是()。
第22题:
在半导体存储器中,动态RAM的特点是()。
第23题: