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  • 第1题:

    在放大电路中,若测BJT三个电极的电位分别为-2V,-2.6V,-8V,则这个BJT的类型是 。

    A.NPN型Si管

    B.NPN型Ge管

    C.PNP型Si管

    D.PNP型Ge管


    由于锗BJT的|V BE |≈0.2V,硅BJT的|V BE |≈0.7V,现已知BJT的V B =-6V,电极C的V C =-6.2V,两者相差0.2V,故必有一个为基极,另一个为发射极。又因为,BJT的V A =-9V,故电极A是集电极,V B 、V C 均高于V A ,该BJT是PNP型。又因为V E >V B ,V B >V C ,所以C为基极,B为发射极。

  • 第2题:

    已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()

    A.PNP型锗管

    B.NPN型锗管

    C.PNP型硅管

    D.NPN型硅管


    D

  • 第3题:

    判断题:PNP管放大电路中,UCC的极性为负,说明发射结反偏,集电结正偏。

    A.Y.是

    B.N.否


    ×

  • 第4题:

    在放大电路中,若测BJT三个电极的电位分别为2V,2.2V,8V,则这个BJT的类型是 。

    A.NPN型Si管

    B.NPN型Ge管

    C.PNP型Si管

    D.PNP型Ge管


    由于锗BJT的|V BE |≈0.2V,硅BJT的|V BE |≈0.7V,现已知BJT的V B =-6V,电极C的V C =-6.2V,两者相差0.2V,故必有一个为基极,另一个为发射极。又因为,BJT的V A =-9V,故电极A是集电极,V B 、V C 均高于V A ,该BJT是PNP型。又因为V E >V B ,V B >V C ,所以C为基极,B为发射极。

  • 第5题:

    8、在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别是6V,1.2V,1V,则该管为()。

    A.NPN硅管

    B.PNP锗管

    C.NPN锗管

    D.PNP硅管


    NPN型锗管