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  • 第1题:

    开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。


    B

  • 第2题:

    下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()

    A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的

    B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通

    C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降

    D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断


    与纸币基本类似;接收的硬币可以循环找零;硬币最终流入回收箱

  • 第3题:

    下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()

    A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。

    B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。

    C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。

    D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断。


    A

  • 第4题:

    4、IGBT相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。


    B

  • 第5题:

    使MOSFET开通的驱动电压一般为 V,使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。


    10~15、15~20、关断时间