此题为判断题(对,错)。
第1题:
开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
第2题:
下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()
A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通
C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断
第3题:
下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()
A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。
C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断。
第4题:
4、IGBT相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。
第5题:
使MOSFET开通的驱动电压一般为 V,使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。