3、如果在金属-半导体之间加一个反偏压，此时金属半导体势垒高度将（）。A．变大B．变小C．不变D．不确定

题目

3、如果在金属-半导体之间加一个反偏压，此时金属半导体势垒高度将（）。

A．变大

B．变小

C．不变

D．不确定

相似考题

1.下列哪种物质属于半导体催化剂()。A、金属B、金属硫化物C、金属盐类D、酸性催化剂

2.半导体在我们的日常生活中有着广泛应用，下列关于半导体的说法正确的是：A.麦克斯韦首次发现了半导体现象 B.所有半导体材料都属于金属化合物 C.温度升高，半导体的电阻会随之变高 D.LED灯利用半导体将电能转化为光能

3.直接接地是指将金属设备或金属构件与接地系统直接用（）进行可靠联接。A导体B半导体C绝缘体

4.下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。

更多“3、如果在金属-半导体之间加一个反偏压，此时金属半导体势垒高度将（）。”相关问题

  • 第1题：

    热电偶是由两种不同的金属导体或半导体______成一个______构成的。这两根导体或半导体称为热电极。


    正确答案:焊接（或绞接）；闭合回路

  • 第2题：

    互补金属氧化物半导体


    正确答案: CMOS是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置情况和用户对某些参数的设定。CMOS芯片由主板上的充电电池供电，即使系统断电，参数也不会丢失。CMOS芯片只有保存数据的功能，而对CMOS中各项参数的修改要通过BIOS的设定程序来实现。

  • 第3题：

    常用（）作为霍尔元件。

    • A、金属
    • B、N型半导体
    • C、P型半导体
    • D、绝缘体

    正确答案:B

  • 第4题：

    半导体金属都有自由电子空穴。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    为什么霍尔元件不用金属制作，而用半导体，且用N型半导体制作？


    正确答案:霍尔电势的大小与霍尔常数RH成正比，而霍尔常数与载流子的电阻率和迁移率成正比。金属因自由电子密度太大，迁移率太小，而且电阻率很低其霍尔常数太小而不适宜制作霍尔元件。半导体材料的载流子浓度相对地小很多，且电阻率较大，迁移率也较大，因而其霍尔常数大，加上N型半导体中电子迁移率高于P型半导体，所以霍尔元件都用N型半导体制作。

  • 第6题：

    金属是半导体。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    高压电缆结构从内到外分（）

    • A、芯线、绝缘层、保护层
    • B、芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层
    • C、芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层
    • D、芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层
    • E、芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层

    正确答案:C

  • 第8题：

    半导体应变片的灵敏系数比金属丝（），但是半导体材料的温度系数（），应变时非线性比较（），适用范围（）。工作原理基于半导体材料的（）。


    正确答案:高；大；严重；受限制；压阻效应

  • 第9题：

    名词解释题
    金属-半导体功函数差

    正确答案： 金属功函数和电子亲合能之差的函数，用φms表示。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    半导体和半金属有何异同？

    正确答案： 相同处：T≠0时，从电导率上讲无差别，不同处：从能带结构上讲 半金属（如Bi）与金属类似，T＝0时，导带几乎全空，价带几乎全满。半导体与绝缘体类似，T＝0时，导带全空，价带全满，仅为禁带Eg小些而已。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）
    A

    金属应变片主要利用压阻效应

    B

    金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化

    C

    半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化

    D

    半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    高压电缆结构从内到外分（　　）。
    A

    芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层

    B

    芯线、绝缘层、保护层

    C

    芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层

    D

    芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层

    E

    芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

    • A、2族金属
    • B、碱金属
    • C、合金金属
    • D、稀有金属

    正确答案:B

  • 第14题：

    CCD在中文名称是（）.

    • A、半导体材料
    • B、电荷耦合部件
    • C、传感器
    • D、金属半导体

    正确答案:B

  • 第15题：

    如果在半导体材料中掺入（）等五价元素，将制作成N型半导体。

    • A、铟
    • B、铝
    • C、硼
    • D、锑

    正确答案:D

  • 第16题：

    热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的（）制成的感温元件.

    • A、金属导体
    • B、半导体
    • C、金属导体或半导体
    • D、绝缘体

    正确答案:C

  • 第17题：

    金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随（）而（），而半导体的电阻率随（）而（）（少数除外）。


    正确答案:温度升高；增加；温度升高；减小

  • 第18题：

    根据敏感元件材料的不同，可以将应变器分为金属式和半导体式。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    霍尔传感器通常选择（）材料制作。

    • A、N型半导体
    • B、P型半导体
    • C、金属导体
    • D、导体和半导体

    正确答案:A

  • 第20题：

    判断题
    注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。

    正确答案： 肖特基接触、欧姆接触和合金接触,1017/cm3,肖特基接触,1020/cm3,欧姆接触
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    为什么霍尔元件不用金属制作，而用半导体，且用N型半导体制作？

    正确答案： 霍尔电势的大小与霍尔常数RH成正比，而霍尔常数与载流子的电阻率和迁移率成正比。金属因自由电子密度太大，迁移率太小，而且电阻率很低其霍尔常数太小而不适宜制作霍尔元件。半导体材料的载流子浓度相对地小很多，且电阻率较大，迁移率也较大，因而其霍尔常数大，加上N型半导体中电子迁移率高于P型半导体，所以霍尔元件都用N型半导体制作。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    半导体是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。按这个定义，下面说法错误的是（）。
    A

    某种溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体，所以，这种溶液是半导体

    B

    汞的导电性能大大小于铝、铜、铁等金属材料，所以汞是半导体物质

    C

    干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝、铜、等金属材料。有人说，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

    D

    在纯结晶状态的硅中掺人某些元素原子后，会由不导电变为导电。但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，所以，硅是半导体物质


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

相关内容