对于N沟道增强型MOSFET，在正常工作时，栅源电压只能为正。

题目

对于N沟道增强型MOSFET，在正常工作时，栅源电压只能为正。

相似考题

1.按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

2.功率场效应晶体管一般为()。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

3.功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

4.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

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  • 第1题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第2题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第3题：

    对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小


    正确答案:错误

  • 第4题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。


    正确答案:为正；大于开启电压

  • 第6题：

    使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。


    正确答案:＜；＞

  • 第7题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第8题：

    N沟道JFET的跨导gm是（）

    • A、一个固定值
    • B、随电源电压VDD增加而加大
    • C、随静态栅源电压VGS增加而加大
    • D、随静态栅源电压VGS增加而减小

    正确答案:C

  • 第9题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    单选题
    结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。
    A

    反偏电压

    B

    反向电流

    C

    正偏电压

    D

    正向电流


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
    A

    耗尽型

    B

    增强型

    C

    P沟道

    D

    N沟道


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

    正确答案： 增大,减小,增大,增大
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第14题：

    使用功率MOSFET时要注意（）。

    • A、防止静电击穿
    • B、防止二次击穿
    • C、MOSFET不能承受反压
    • D、栅源过电压保护

    正确答案:A,C,D

  • 第15题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

    • A、驱动信号的前后沿陡峭
    • B、驱动信号的电压应高于开启电压
    • C、信号电压应低于栅源击穿电压
    • D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压

    正确答案:A,B,C,D

  • 第18题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第19题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第20题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第21题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

    正确答案： P,N,电子
    解析： 暂无解析

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