PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子（电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。A．扩散电流、漂移电流B．扩散电流、扩散电流C．漂移电流、扩散电流D．漂移电流

题目

PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子（电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。

A．扩散电流、漂移电流

B．扩散电流、扩散电流

C．漂移电流、扩散电流

D．漂移电流

相似考题

1.当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

2.PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动

3.关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A、空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄

4.漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。()此题为判断题(对，错)。

更多“PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子（电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。”相关问题

  • 第1题：

    当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）

    • A、大于
    • B、变窄
    • C、等于
    • D、小于
    • E、变宽
    • F、不变

    正确答案:A,B,D,E

  • 第2题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

    • A、大于，变宽
    • B、小于，变窄
    • C、大于，变窄
    • D、小于，变宽

    正确答案:C

  • 第3题：

    在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。


    正确答案:电子

  • 第4题：

    当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）

    • A、P区；N区；升高；降低
    • B、N区；P区；升高；降低
    • C、N区；P区；降低；升高
    • D、P区；N区；降低；升高

    正确答案:B

  • 第5题：

    在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。


    正确答案:（载流子的）浓度差；（内电场的）电场力

  • 第7题：

    在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。


    正确答案:载流子的浓度差；载流子在内电场

  • 第8题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、变宽

    正确答案:A

  • 第9题：

    为什么PN结具有单向导电性（）。

    • A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通
    • B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通
    • C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
    • D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用

    正确答案:B,D

  • 第10题：

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是（）
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

    B

    p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡；

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。
    A

    P区；

    B

    N区；

    C

    结区；

    D

    中间区。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第15题：

    空间电荷区，内建电场及方向；漂移电流和扩散电流及其方向。


    正确答案: 空间电荷区：扩散结果：n区出现正电荷区，p区出现负电荷区，则交界面的两侧的正，负电荷区，总称为空间电荷区。内建电场：由于空间电荷区正负电荷相互吸引，形成一个称为势垒电场的内建电场，带正电荷的n区指向带负电荷的p区。扩散电流：当两种不同型号半导体连接起来，在交界处产生载流子扩散。由n型半导体与p型半导体交界处两侧不同型号载流子（多数载流子）浓度差引起的载流子扩散产生的电流。扩散电流=电子扩散电流+空穴扩散电流。方向p指向n。漂移电流：内建电场的形成对多数载流子扩散运动起阻挡运动的作用。载流子在内建电场中的运动叫做漂移电流。漂移运动产生的电流叫做漂移电流。漂移电流=空穴漂移电流+电子漂移电流。方向与扩散电流方向相反。

  • 第16题：

    光生电流包括（）。

    • A、耗尽区内的光生载流子形成的电流
    • B、P区的光生载流子形成的电流
    • C、N区的光生载流子形成的电流
    • D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流

    正确答案:A,B,C

  • 第17题：

    PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。


    正确答案:相同；宽

  • 第18题：

    PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。


    正确答案:等于；大于；变薄；小于；变厚

  • 第19题：

    二极管的最主要特性是（）。PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。


    正确答案:单向导电性；大于；变窄

  • 第20题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。


    正确答案:大于；窄；小于；宽

  • 第21题：

    当PN结外加正向电压时，（）占优，耗尽层变窄。

    • A、中和电流
    • B、扩散电流
    • C、漂移电流
    • D、正弦电流

    正确答案:B

  • 第22题：

    单选题
    关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）
    A

    空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动

    B

    空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动

    C

    当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚

    D

    当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

    正确答案： N,P
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）
    A

    复合电流

    B

    漂移电流

    C

    扩散电流

    D

    漏电流


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

相关内容