在一静电场中，作一闭合曲面S，若有∮D·dS=0(式中D为电位移矢量)，则S面内必定（ ）。A．自由电荷的代数和为零 B．既无自由电荷。也无束缚电荷 C．自由电荷和束缚电荷的代数和为零 D．没有自由电荷
题目
B．既无自由电荷。也无束缚电荷
C．自由电荷和束缚电荷的代数和为零
D．没有自由电荷
相似考题
参考答案和解析
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第1题：
若有定义语句：char s[10]="1234567\0\0";，则strlen(s)的值是______。
A．7
B．8
C．9
D．10
正确答案：A
解析：strlen(字符数组)是测试字符串的长度的函数。函数的值为字符串的实际长度，不包括'\0'在内。 C语言中字符串是以'\0'字符结束的，且salen()函数计算的是'\0'字符前的所有字符的个数，所以本题strlen(s)的值是7。需要与其区分的是sizeof()函数，它的功能是计算变量或数组所分配到的内存空间的大小。如果本题要求计算sizeof(s)的话，则其值应为10。 -
第2题：
若有如下定义： int s[3] 则下面表达式中不能代表数组元素s[1]的地址的是( )
A．&s[1]
B．&s[0]+1
C．s+1
D．s++
正确答案：D
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第3题：
若有说明int s[3][4]={0}，则下面叙述正确的是( )。
A．只有元素s[O][0]可得到初值0
B．此说明语句不正确
C．数组s中各个元素都可得到初值，但其值不一定为0
D．数组s中每个元素均可得到初值0
正确答案：D
解析：本题考查数组的定义和初始化。数组可在定义时初始化，初始化值的个数可以小于或等于数组定义的元素个数，但不可以多于数组元素个数。不足部分的数组元素系统自动以0填充。故本题答案是D。 -
第4题：
如图所示电路中，开关S闭合前电路已经处于稳态，在t = 0时开关S闭合。开关S闭合后的uc(t)为（ ）。
答案：B解析：解（1)求 uc(0+)。如图 a)所示，uc(0+)=uc(0-)=10V。
(2)求uc(∞)。t=∞时的电路如图b)所示，由KVL得：i(4+6) + 10=20，则i=1X10-3A，所以 Uc(∞) = 1 X 10-3 X 6 X 103 + 10=16V。
答案：B -
第5题：
图所示电路中，开关S在t=0瞬间闭合，若uC（0-）=0V，则iC（0+）为（ ）A。
A．1.2
B．0
C．2.4
D．3.6答案：A解析：换路瞬间，电容上的电压不能突变，所以uC（0+）=uC（0-）=0V，与电容并联的10Ω电阻上无电流流过，因此IC=12/10=1.2A。 -
第6题：
x轴旋转一周，所成旋转曲面记作S。
(1)在空间直角坐标系下，写出曲面S的方程；
(2)求曲面S与平面x=0所围成立体的体积。答案：解析：
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第7题：
点作直线运动，其运动方程为x=27t－t3，式中x以m计，t以s计。则点在t=0到t=7s时间间隔内走过的路程为（）m。
正确答案:262 -
第8题：
以无限长均匀带电直线为轴，作一个圆体柱形闭合高斯面，通过此闭合曲面的电通量（）
- A、等于零
- B、不一定等于零
- C、等于μoI
- D、为（1/ε0）Σqi
正确答案:D -
第9题：
下列说法正确的是（）.
- A、闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内一定没有电荷
- B、闭合曲面上各点电场强度都为零时，曲面内电荷的代数和必定为零
- C、闭合曲面的电通量为零时，曲面上各点的电场强度必定为零
- D、闭合曲面的电通量不为零时，曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
正确答案:B -
第10题：
在真空中的静电场中，作一封闭的曲面，则下列结论中正确的是（）
- A、通过封闭曲面的电通量仅是面内电荷提供的
- B、封闭曲面上各点的场强是面内电荷激发的
- C、应用高斯定理求得的场强仅是由面内电荷所激发的
- D、应用高斯定理求得的场强仅是由面外电荷所激发的
正确答案:A -
第11题：
单选题若有如下程序段，其中s、a、b、c均被定义为整型变量，并且a和c已经赋值(c>0)， s=a; for(b=1;b<=c;b++) s=s+1; 则与上述程序段功能等价的赋值语句是（）。As=a+b；
Bs=a+c；
Cs=s+c；
Ds=b+c；
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题对于矩形群桩在作沉降验算时，在桩端平面上以下深度z处，中心点的沉降量s0和角点的沉降量s1相比较，下面正确的选项为（ ）。As0=s1
Bs0=2s1
Cs0=4s1
Ds1=4s1
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第13题：
若有说明：int [3][4]={0}；则下面叙述正确的( )。
A．只有元素s[0][0]可得到初值0
B．此说明语句不正确
C．数组s中各个元素都可得到初值，但其值不一定为0
D．数组s中每个元素均可得到初值0
正确答案：D
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第14题：
若有如下定义： int s[3][4]； 则下面表达式中能代表数组元素s[1][0]的值的是( )
A．*(s+1)
B．s[1]
C．s+1
D．*(s[1])
正确答案：D
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第15题：
一平面简谐波波动表达式为
，式中x，t分别以cm，s为单位，则x=4cm位置处的质元在t=1s时刻的振动速度v为( )。A、v=0
B、v=5cm·s-1
C、v=-5πcm·s-1
D、v=-10πcm·s-1答案：A解析：已知波动表达式
，则
，当时x=4cm，t=1s时，v=-50sinπ=0 -
第16题：
在图所示电路中，开关S在t＝0瞬间闭合，则i2（0＋）＝（ ）A。
A．0.1
B．0.05
C．0
D．0.2答案：A解析：根据换路定则可知，换路瞬间电感的电流不能突变，开关S闭合后电感支路相当于断路，因此iL（0+）=iL（0-）=0，i2（0+）=10/（100+100）=0.05A。 -
第17题：
在磁感强度为B的均匀磁场中作一半径为r的半球面s,s边线所在平面的法线方向单位矢量n与B的夹角为仅，则通过半球面s的磁通量（取弯面向外为正）为（）。
A．r2B
B．2r2B
C．-πr2Bsinα
D．-πr2Bcosα答案：D解析：
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第18题：
真空中有一载有稳恒电流I的细线圈，则通过包围该线圈的封闭曲面S的磁通量Φ=（）。若通过S面上某面元dS的元磁通为dΦ，而线圈中的电流增加为2I时，通过同一面元的元磁通为dΦ`，则dΦ：dΦ`=（）。
正确答案:0；1：2 -
第19题：
根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是（）
- A、若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷
- B、若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零
- C、若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内一定有极化电荷
- D、介质中的高斯定律表明电位移矢量仅仅与自由电荷的分布有关
- E、介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关
正确答案:E -
第20题：
关于高斯定理得出的下述结论正确的是（）。
- A、闭合曲面内的电荷代数和为零，则闭合曲面上任一点的电场强度必为零
- B、闭合曲面上各点的电场强度为零，则闭合曲面内一定没有电荷
- C、闭合曲面上各点的电场强度仅由曲面内的电荷决定
- D、通过闭合曲面的电通量仅由曲面内的电荷决定。
正确答案:D -
第21题：
在电磁学中，矢量在闭合曲面上的通量是一个重要的问题，由通量特性可以得到重要的结论。在下面论述中，哪一观点是错误的？（）
- A、涡旋电场、磁感应强度在闭合曲面上的通量恒为零
- B、在任意条件下，涡旋电场线始终闭合
- C、在任意条件下，传导电流密度在闭合曲面上的通量不为零
- D、某一矢量在闭合曲面上的通量为零，表明该矢量线闭合
正确答案:C -
第22题：
在静电场中过高斯面S的电通量为零，则（）。
- A、S上E处处为零
- B、S上E处处不为零
- C、S上E处处E⊥n
- D、只说明∮dE·ds=0
正确答案:D -
第23题：
单选题下列地化参数中可以解释为油层的一组是（）。AS0=0.2358，S1＝15.2375，S2＝5.2375
BS0＝0.0028，S1＝1.2372，S2＝2.0083
CS0＝0.0037，S1＝1.0237，S2＝1.2517
DS0＝0.1347，S1＝2.0705，S2＝1.5127
正确答案： D解析： 暂无解析