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  • 第1题:

    在SOP中,断定全部外延的是(),没有断定全部外延的是()。


    正确答案:项“P”;主项“S”

  • 第2题:

    延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。


    正确答案:化学气相;液相;分子束

  • 第3题:

    划分后各子项外延之和大于母项外延,就会犯()的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延,就会犯()的逻辑错误。


    正确答案:多出子项;划分不全

  • 第4题:

    素质教育的目标是发展素质教育的()


    正确答案:首要环节

  • 第5题:

    讲清概念的方法是()。

    • A、扩大外延、扩大内涵
    • B、扩大外延,减少内涵
    • C、减少外延、减少内涵
    • D、减少外延,扩大内涵

    正确答案:D

  • 第6题:

    任何一个概念都有它的内涵和外延,外延的大小与内涵成反比关系。内涵越多,外延就越小;内涵越少,外延就越大。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    填空题
    ()是教育改革的核心内容,是素质教育由外延到核心突破的关键环节。

    正确答案: 课程改革
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    多选题
    素质教育概念应该把握的要点是()。
    A

    它清晰地揭示了素质教育极其丰富复杂深刻的内涵,囊括了自素质教育提出以来整个教育研究过程形成的主要共识性观点

    B

    把素质教育与以往各种教育从本质上区别开来,有助于化解和消除长期出现的各种对素质教育的认识困惑与思想迷惘

    C

    从总体上为所有从事教育的人们今后“该做什么”和“该怎么做”指出了重要的努力目标、方向

    D

    明确了素质教育的外延


    正确答案: C,B
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    问答题
    什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?

    正确答案: 外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层,新的外延层会复制硅片的晶体结构,并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性,例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓,而这些因素与硅片衬底无关的,这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    不是素质教育的内容是()。
    A

    思想品德素质教育

    B

    应变素质教育

    C

    文化素质教育

    D

    业务和身心素质教育


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

    正确答案: 气相,气束
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    在SOP中,断定全部外延的是(),没有断定全部外延的是()。

    正确答案: 项“P”,主项“S”
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?


    正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层,新的外延层会复制硅片的晶体结构,并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性,例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓,而这些因素与硅片衬底无关的,这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。

  • 第14题:

    概念的内涵是(),概念的外延是属、种概念的内涵与外延间存在着关系。


    正确答案:指反映在概念中的对象的特有属性或本质属性指具有概念所反映的特有属性或本质属性的对象反变

  • 第15题:

    ()是教育改革的核心内容,是素质教育由外延到核心突破的关键环节。


    正确答案:课程改革

  • 第16题:

    概念的内涵和外延之间的关系是()。

    • A、概念的内涵越深其外延越广
    • B、概念的内涵越浅其外延越广
    • C、概念所包含的属性越多其外延越广
    • D、概念所包含的属性越少其外延越广

    正确答案:B,D

  • 第17题:

    “多出子项”指的是子项的外延之和()母项的外延;“划分不全”指的是子项的外延之和()母项的外延。


    正确答案:大于;小于

  • 第18题:

    什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?


    正确答案: 固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化,而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点,非晶区以固相外延方式生长后,位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶(a/C.界面的缺陷称为射程末端(EOR,End-of-RangE.缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于a/c界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。若位错环位于PN结耗尽区附近,会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散,使位错环处于高掺杂区,同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。

  • 第19题:

    多选题
    下列有关素质教育说法正确的是()
    A

    素质教育就是特长教育

    B

    素质教育以人的素质发展为核心

    C

    素质教育关注的是人的发展质量

    D

    素质教育的最终目的是取消考试


    正确答案: B,C
    解析:

  • 第20题:

    填空题
    “多出子项”指的是子项的外延之和()母项的外延;“划分不全”指的是子项的外延之和()母项的外延。

    正确答案: 大于,小于
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    什么是液相外延、气相外延和分子束外延?

    正确答案: (1)液相外延:采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延;
    (2)气相外延:使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面,从而生长出半导体层的过程;
    (3)分子束外延:在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度,并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    讲清概念的方法是()。
    A

    扩大外延、扩大内涵

    B

    扩大外延,减少内涵

    C

    减少外延、减少内涵

    D

    减少外延,扩大内涵


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    要讲清楚一个概念,正确的方法是()。
    A

    尽量减小外延,扩大内涵

    B

    尽量减小外延和内涵

    C

    尽量扩大外延,减小内涵

    D

    尽量扩大外延和内涵


    正确答案: C
    解析: 暂无解析