什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？
题目
什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？
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第1题：
动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？各有什么优缺点？
正确答案:DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的，由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响，系统的存取速度比较高；但有死区，而且存储容量越大，死区就越长。分散方式的特点是没有死区；但它加长了系统的存取周期，降低了整机的速度，且刷新过于频繁，没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区，但比集中方式的死区小得多，而且减少了刷新次数，是比较实用的一种刷新方式。 -
第2题：
动态RAM为何要刷新？如何刷新？
正确答案: 因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所以动态RAM要刷新；
可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到补充，来完成刷新。 -
第3题：
什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。
正确答案:刷新：对DRAM定期进行的全部重写过程；
刷新原因：因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；
常用的刷新方法有三种：集中式、分散式、异步式。
集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新，存在CPU访存死时间。
分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间。
异步式：是集中式和分散式的折衷。 -
第4题：
静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
正确答案: 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
动态存储器的刷新方式通常有：
集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。 -
第5题：
动态RAM为什么要进行刷新？刷新过程和读操作比较有什么差别？
正确答案:1.因为动态RAM是利用电容的存储作用来保存信息的，但电容由于放电或泄漏，电荷保存时间较短（约2ms），若不及时补充电荷会使存放的数据丢失，因此需定时刷新以补充所需要的电荷。
2.刷新过程是由刷新逻辑电路定时完成的，且每次对所有模块的一行同时刷新，数据不输出，数据总线处于高阻状态。读过程是随机的，每次选中一个存储单元（8位），且数据输出到数据总线上。 -
第6题：
DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？
正确答案:DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。 -
第7题：
动态RAM为什么需要经常刷新？微机系统如何进行动态RAM的刷新？
正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行刷新。
DRAM的刷新常采用两种方法：一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel8203控制器；二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如Intel2186/2187。 -
第8题：
DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？
正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。 -
第9题：
多选题下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法？（）A集中刷新方式
B分散刷新方式
C同步刷新方式
D异步刷新方式
正确答案： D,C解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？正确答案： DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？各有什么优缺点？正确答案： DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的，由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响，系统的存取速度比较高；但有死区，而且存储容量越大，死区就越长。分散方式的特点是没有死区；但它加长了系统的存取周期，降低了整机的速度，且刷新过于频繁，没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区，但比集中方式的死区小得多，而且减少了刷新次数，是比较实用的一种刷新方式。解析： 暂无解析 -
第13题：
DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？
正确答案: 所有的DRAM基本单元都是由一个晶体管和一个电容组成，一个电容可以存储一定的电子或电荷，电容的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，一个充电的电容在数字电路中被认为是逻辑上的1，而未充电的电荷表示逻辑的0，但是电容有一个制性，那就是不能持久的保持存储的电荷，所以内存需要不断的定时刷新，才能保持暂存的数据；当CPU处理信息时，需要将信息存储到RAM中。如果需要将数据“写”到RAM中，则处理器会发出一“写”信号到CPU中，通过系统总线，到达RAM单元。这些RAM单元然后就按行或列地址将这些信息数据存储到指定点的“栅格”中；当CPU需要读取RAM中的数据时，则会向RAM发出请求信号，这些信号中包含地址信息，以确定那些栅格中的位置。 -
第14题：
DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？
正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。 -
第15题：
常用的刷新控制方式有：（）、（）和（）三种。
正确答案:集中刷新控制方式；分散刷新控制方式；异步刷新控制方式 -
第16题：
静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么？动态RAM为什么需要刷新？进行刷新需要外部提供什么条件？
正确答案:静态 RAM的存储元件是触发器，动态RAM的存储元件是电容。动态RAM的基本存储单元是靠电容上有无电荷表示存1或存0的。虽然基本存储单元中的MOS管是一种高阻抗器件，但不可能将阻抗做到无穷大，因此电容上的电荷经过一段时间就会泄漏掉，使“1”信息变成“0”，所以要周期性地进行信息重新写入，也就是要刷新。刷新一般采用“仅行地址有效”的方法，需要外部提供有效行地址，选中相应一行，同时，令列地址无效，即关闭所有的列选通管。刷新需由刷新控制器控制。 -
第17题：
DRAM为什么需要定时刷新？
正确答案:DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。 -
第18题：
为什么动态RAM需要定时刷新？
正确答案:DRAM的存储元以电容来存储信息，由于存在漏电现象，电容中存储的电荷会逐渐泄漏，从而使信息丢失或出现错误。因此需要对这些电容定时进行“刷新”。 -
第19题：
什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？
正确答案: 对动态存储器要每隔一定时间（通常是2ms）给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷，称为RAM的刷新，2ms是刷新间隔时间。
由于存放信息的电荷会有泄漏，动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样，由电源经负载管源源不断地补充，时间一长，就会丢失信息，所以必须刷新。
常用的刷新方式有两种：集中式刷新、分布式刷新。 -
第20题：
问答题DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？正确答案： 所有的DRAM基本单元都是由一个晶体管和一个电容组成，一个电容可以存储一定的电子或电荷，电容的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，一个充电的电容在数字电路中被认为是逻辑上的1，而未充电的电荷表示逻辑的0，但是电容有一个制性，那就是不能持久的保持存储的电荷，所以内存需要不断的定时刷新，才能保持暂存的数据；当CPU处理信息时，需要将信息存储到RAM中。如果需要将数据“写”到RAM中，则处理器会发出一“写”信号到CPU中，通过系统总线，到达RAM单元。这些RAM单元然后就按行或列地址将这些信息数据存储到指定点的“栅格”中；当CPU需要读取RAM中的数据时，则会向RAM发出请求信号，这些信号中包含地址信息，以确定那些栅格中的位置。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。正确答案： 刷新：对DRAM定期进行的全部重写过程；
刷新原因：因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；
常用的刷新方法有三种：集中式、分散式、异步式。
集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新，存在CPU访存死时间。
分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间。
异步式：是集中式和分散式的折衷。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题什么是刷新？为什么要刷新？有哪几种常用的刷新方式？正确答案： 对动态存储器要每隔一定时间（通常是2ms）给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷，称为RAM的刷新，2ms是刷新间隔时间。
由于存放信息的电荷会有泄漏，动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样，由电源经负载管源源不断地补充，时间一长，就会丢失信息，所以必须刷新。
常用的刷新方式有两种：集中式刷新、分布式刷新。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？正确答案： 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
动态存储器的刷新方式通常有：
集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。解析： 暂无解析