更多“②该方案存在明显缺陷,因为得到的产物晶体事往往含有_________杂质,产生该杂质的原因是_______。 ”相关问题
  • 第1题:

    药物的杂质检查要求应()。

    A不允许有任何杂质存在

    B符合分析纯的规定

    C不允许有对人体有害的物质存在

    D不超过药品质量标准对该药杂质限量的规定


    D

  • 第2题:

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第3题:

    金属发生腐蚀的根本原因是()。

    • A、腐蚀电池的存在
    • B、介质中存在可使金属氧化的物质
    • C、金属中含有杂质
    • D、以上均不对

    正确答案:B

  • 第4题:

    晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。


    正确答案:正确

  • 第5题:

    市售的丙酮往往含有少量的乙醛杂质,应如何除去?依据是什么?


    正确答案: 可在含醛的丙酮中加铬酸溶液,剧烈振摇,然后加热蒸馏,收集丙酮沸点范围左右的馏分,便可将乙醛从丙酮中除去。其依据是:
    (1)室温下,乙醛能被铬酸氧化成乙酸,而丙酮却不能被氧化;
    (2)蒸馏时,由于丙酮的沸点(50℃)比乙酸的沸点(118℃)低得多,所以,先出来的是丙酮。

  • 第6题:

    药典中规定的杂质检查项目,是指该药品在()和()可能含有并需要控制的杂质。


    正确答案:生产;储藏中

  • 第7题:

    在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第8题:

    在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。

    • A、增加缺陷浓度
    • B、使晶格发生畸变
    • C、降低缺陷浓度
    • D、A和B

    正确答案:D

  • 第9题:

    在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第10题:

    填空题
    药典规定的杂质检查项目,是指该药品在()和()中可能含有并需要控制的杂质。

    正确答案: 生产,储藏
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、()和体缺陷。其中点缺陷又可分为()和杂质缺陷。

    正确答案: 线缺陷、面缺陷,热缺陷
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    缺陷内存在的杂质会降低渗透检测灵敏度,这是因为()
    A

    杂质塞在缺陷内会阻止渗透液渗入

    B

    杂质与渗透液作用会冲淡着色或荧光强度

    C

    杂质会降低渗透液毛细作用

    D

    以上都对


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    天然水中含有三种杂质:()杂质、()杂质和()杂质。
    悬浮;胶体;溶解

  • 第14题:

    缺陷内存在的杂质会降低渗透检测灵敏度,这是因为()

    • A、杂质塞在缺陷内会阻止渗透液渗入
    • B、杂质与渗透液作用会冲淡着色或荧光强度
    • C、杂质会降低渗透液毛细作用
    • D、以上都对

    正确答案:D

  • 第15题:

    氧化精炼时,杂质及其氧化物在铜液中的()愈大,则该杂质愈难除去;杂质对氧的()愈小,则该杂质愈难氧化,因而愈难脱除。


    正确答案:溶解度;亲和力

  • 第16题:

    齿轮泵不适宜输送含有颗粒杂质的液体,因为会()。


    正确答案:影响泵的寿命

  • 第17题:

    在理想晶体中,只有()能散射电子。

    • A、杂质
    • B、声子
    • C、电子
    • D、缺陷

    正确答案:B

  • 第18题:

    反应后的粗产物中含有哪些杂质?各步冼涤的目的何在?


    正确答案:反应后的粗产物中主要含有1-溴丁烷、正丁醇、正丁醚、硫酸、硫酸氢钠、丁烯、水等。
    各步冼涤的目的如下:
    10mL水洗——除水溶性杂质
    5mL浓硫酸洗——除正丁醇、正丁醚、丁烯
    10mL水洗——除大量的硫酸
    10mL饱和碳酸氢钠洗——中和未除尽的酸
    10mL水洗——除盐

  • 第19题:

    在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第20题:

    晶体缺陷的存在对()会产生明显的影响。


    正确答案:晶体的性质

  • 第21题:

    单选题
    在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。
    A

    增加缺陷浓度

    B

    使晶格发生畸变

    C

    降低缺陷浓度

    D

    A和B


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。
    A

    热缺陷

    B

    杂质缺陷

    C

    非化学计量缺陷

    D

    A+B+C


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()
    A

    取代原子

    B

    空位原子

    C

    杂质原子

    D

    填隙原子


    正确答案: C
    解析: 暂无解析