绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。

题目
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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1.IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

2.下列器件中，属于全控型器件的有（）。A．晶闸管SCRB．门极可关断晶闸管GTOC．电力晶体管GTRD．电力场效应晶体管POWER MOSFETE．绝缘栅双极晶体管IGBT

3.绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。

4.绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

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  • 第1题：

    绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。


    正确

  • 第2题：

    按照电力电子器件的可控程度分类，IGBT（绝缘栅双极晶体管）属于哪一类？

    A．电压驱动型

    B．不可控型

    C．半控型

    D．全控型


    半控型器件;全控型器件;不可控器件

  • 第3题：

    如下所述，关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：

    A．相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR是一样的。

    B．相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。

    C．相同电压和电流定额时，IGBT的安全工作区比GTR更窄。

    D．相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR稍窄，但几乎相同。


    相同电压和电流定额时， IGBT 安全工作区比 GTR 宽。

  • 第4题：

    1、变流系统中的电力电子器件都经历过从（)的发生过程。

    A．半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

    B．全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

    C．半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)

    D．绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)


    半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

  • 第5题：

    82、IGBT是一种全控型器件，其全称是什么？

    A．大功率晶体管

    B．门极可关断晶闸管

    C．功率场效应管

    D．绝缘栅双极晶体管


    电压

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