画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
第1题:
画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔试
第2题:
画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)
第3题:
给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。(Infineon笔试)
第4题:
画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。(未知)
第5题:
以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
第6题:
给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
-14b),问你有什么办法提高*** time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温
度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)
第7题:
第8题:
根据工件图的特点和视图表达情况确定哪个部件需画出()。并在原圈上画出剖面图。
第9题:
()要求画出剖切平面以后的所有部分的投影
第10题:
晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的()特性。
第11题:
在水工图中需要画出地形、方位、河流方向的图样是()。
第12题:
详图
枢纽平面布置图
横剖面图
纵剖视图
第13题:
画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第14题:
画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E)。(仕兰微电子)
第15题:
用逻辑们画出D触发器。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第16题:
给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)
第17题:
sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换 。(Infineon笔试试题)
第18题:
在图题10-1所示的电路中,已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。
①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
②画出该电路的传输特性曲线。
③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
第19题:
第20题:
衡量光纤传输距离和传输容量的两个主要特性是()特性和()特性。
第21题:
()要求画出剖切平面以后的所有部分的投影。
第22题:
衡量光纤的传输距离和传输容量的两个主要特性是()特性和()特性。
第23题:
CMOS传输门,具有双向传输特性。