半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）

题目
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）

相似考题

1.N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()此题为判断题(对，错)。

2.非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。A.禁带B.允带C.导带D.价带

3.文中（ 2 ）处正确的答案是（ ）。A．不重叠，无隔离带B．重叠，无隔离带C．不重叠，有隔离带D．重叠，有隔离带

4.N型半导体带负电，P型半导体带正电。此题为判断题(对，错)。

更多“半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）”相关问题

  • 第1题：

    N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）

    A.满带中
    B.导带中
    C.禁带中，但接近满带顶
    D.禁带中，但接近导带底

    答案：D
    解析：
    N型半导体也称为电子型半导体，自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中处于禁带但接近导带底。

  • 第2题：

    重叠绕包是指用带状材料绕包时，带边与相邻带边（）的绕包形式。


    正确答案:相互搭盖

  • 第3题：

    N型半导体的载流子为带正电的空穴。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。


    正确答案:五；自由电子；空穴；正

  • 第5题：

    半导体中空穴带正电，电子带负电。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 


    正确答案: ①能级分裂：将N个原子逐渐靠近，原子之间的相互作用逐渐增强，各原子上的电子受其它原子（核）的影响；最外层电子的波函数将会发生重叠，简并会解除，原孤立原子能级分裂为N个靠得很近的能级；原子靠得越近，波函数交叠越大，分裂越显著。
    ②能带形成：当两个原子靠近时，核外电子的交互作用逐渐增强，最外面的价电子最先产生交互作用，电子的能级发生交叠。因为越是处于外层的电子，其能量越高，能级量子数越大，所以这种能级交叠首先发生在价电子层，由于受到泡利不相容原理的限制，能级虽然发生交叠，但其中能态不能重叠，并且原子数量越多，这种交叠区的能级密度就越高，这种交叠结果使许多能级聚集到一起形成了能带。
    ③本征能量的函数的间断点出现在布里渊区的界面处，能级间断一定是在这些位置，但是材料中这些位置并不一定出现禁带，能隙的宽度等于晶格周期势函数的傅立叶展开式中相应项的系数的二倍，当能级的间断宽度达到一定程度而使得大多数电子不能够跨越时，便形成了禁带。
    ④材料的能带结构是指能带的具体构成形式，包括构成、排列方式、能级差和费米能级在其中位置等。

  • 第9题：

    填空题
    P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

    正确答案： 空穴,升高
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同？

    正确答案： 在低温下，本征半导体的能带与绝缘体的能带结构相同.但本征半导体的禁带较窄，禁带宽度通常在2个电子伏特以下。由于禁带窄，本征半导体禁带下满带顶的电子可以借助热激发，跃迁到禁带上面空带的底部，使得满带不满，空带不空，二者都对导电有贡献。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）
    A

    电子为多子

    B

    空穴为少子

    C

    能带图中施主能级靠近于导带底

    D

    能带图中受主能级靠近于价带顶


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

    正确答案： 这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列不是能带的是（）.

    • A、价带
    • B、电带
    • C、导带
    • D、禁带

    正确答案:B

  • 第14题：

    可能具有间隙或过盈的配合是过渡配合，此时孔的公差带与轴的公差带相互重叠。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。

    • A、导带也是空带
    • B、满带与导带重合
    • C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子
    • D、禁带宽度较窄

    正确答案:D

  • 第16题：

    孔的公差带在轴的公差带之上为（）配合；孔的公差带与轴的公差带相互重叠为（）配合；孔的公差带在轴的公差带之下为（）配合。


    正确答案:间隙；过渡；过盈

  • 第17题：

    产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    N型半导体带有很多（）。

    • A、带正电量的空穴
    • B、带负电量的空穴
    • C、带正电量的自由电子
    • D、带负电量的自由电子

    正确答案:D

  • 第19题：

    p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

    • A、满带中
    • B、导带中
    • C、禁带中，但接近满带顶
    • D、禁带中，但接近导带底

    正确答案:C

  • 第20题：

    填空题
    孔的公差带在轴的公差带之上为（）配合；孔的公差带与轴的公差带相互重叠为（）配合；孔的公差带在轴的公差带之下为（）配合。

    正确答案： 间隙,过渡,过盈
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。

    正确答案： 满带,空带,价带,导带,带隙
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    与块体材料相比，半导体纳米团簇的带隙展宽，展宽量与颗粒尺寸成（）比。

    正确答案： 反
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别？

    正确答案： 绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。由于能带的亚结构之间的能量相差很小，因此这时只需很少的能量（如一外加电场），就能把电子激发到空的能级上，形成定向移动的电流。这正是具有这种能带结构的物质被称为金属导体的原因。如果某一能带刚好被填满，它与上面的空带间隔着一个禁带。
    此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。一般带隙较大（大于10eV数量级）的物质，被称为绝缘体。而带隙较小（小于1eV数量级）的物质，被称为半导体。半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内，此时紧邻着禁带的满带称为价带，而上面的空带称为导带。如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部，在价带顶部就相应地留下一些空穴，从而使导带和价带都变得可以导电。所以半导体的载流子有电子和空穴两种。绝缘体的禁带宽度较大，价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子，故电导率较低；导体的禁带宽度较小，价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子，同时在价带顶形成空穴，故电导率较高；半导体禁带宽度介于二者之间，故电导率也介于二者之间。
    解析： 暂无解析

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