参考答案和解析
答案:A
解析:
更多“现有容量为256BX4的RAM,回答以下问题:(1)该RAM有多少个存储单元?(2)访问该RAM时,每次会选中几个存储单元?( )”相关问题
  • 第1题:

    RAM允许以任意顺序访问其存储单元;ROM不具有随机访问的能力。

    A.错误

    B.正确


    参考答案:A

  • 第2题:

    动态RAM的刷新是以()为单位进行的。

    A.存储矩阵
    B.行
    C.列
    D.存储单元

    答案:D
    解析:
    动态存储器是采用“读出”的方式进行刷新。因为MOS存储单元在读出过程中恢复了MOS管栅极电容电荷,就可以保持原单元的内容,所以读出过程就是刷新过程。一般来说在刷新过程中只改变行选地址,每次刷新一行。依次对存储器的每一行进行读出,就可以完成对整个DRAM的刷新。每次刷新一行只是从宏观的操作地址变化来说的,对于每一行的各个存储单元,要分别读出进行刷新。

  • 第3题:

    在为无法启动的PC排除故障时,怀疑问题出在RAM模块上。于是将RAM模块拔下来并插入另一台PC,结果该PC成功开机。然后,将RAM模块放回原来的PC中,现在它也成功开机了。此问题最可能的原因是什么()。

    • A、RAM模块没有插牢
    • B、RAM模块有损坏的数据块
    • C、RAM模块与PC规格不相符
    • D、RAM模块被反向插入DIMM插槽中

    正确答案:A

  • 第4题:

    已知RAM芯片的容量为  (1)16K×8    (2)32K×8   (3)64K×8     (4)2K×8  如果RAM的起始地址为3400H、则各RAM对应的末地址为多少?


    正确答案: 存储器的末地址=首地址+芯片内字节数(容量)-1
    上述各芯片对应RAM的末地址为:
    16K×8:末地址是3400H+4000H-1=73FFH
    32K×8:末地址是3400H+8000H-1=B3FFH
    64K×8:末地址是3400H+10000H-1=133FFH
    2K×8:末地址是3400H+800H-1=3BFFH

  • 第5题:

    随机存储器RAM中的信息可以随机地读出或写入,当读出RAM中的信息时()。

    • A、破坏RAM中原保存的信息
    • B、RAM中内容全部为1
    • C、RAM中的内容全部为0
    • D、RAM原有信息保持不变

    正确答案:D

  • 第6题:

    利用电容的充电来存储数据,由于电路本身总有漏电,因此需要定期不断补充电,才能保持其存储的数据是()。

    • A、静态RAM的存储单元
    • B、动态RAM的存储单元
    • C、C、B都是

    正确答案:B

  • 第7题:

    RAM由若干位存储单元组成,每个存储单元可存放一位二进制信息。


    正确答案:正确

  • 第8题:

    要构成容量为4K*8的RAM,需要()片容量为256*4的RAM。

    • A、2
    • B、4
    • C、8
    • D、32

    正确答案:D

  • 第9题:

    问答题
    已知RAM芯片的容量为  (1)16K×8    (2)32K×8   (3)64K×8     (4)2K×8  如果RAM的起始地址为3400H、则各RAM对应的末地址为多少?

    正确答案: 存储器的末地址=首地址+芯片内字节数(容量)-1
    上述各芯片对应RAM的末地址为:
    16K×8:末地址是3400H+4000H-1=73FFH
    32K×8:末地址是3400H+8000H-1=B3FFH
    64K×8:末地址是3400H+10000H-1=133FFH
    2K×8:末地址是3400H+800H-1=3BFFH
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    现有(1024B×4)RAM集成芯片一个,该RAM有多少个存储单元?有多少条地址线?该RAM含有多少个字?其字长是多少位?访问该RAM时,每次会选中几个存储单元?

    正确答案: 该RAM集成芯片有4096个存储单元;地址线为10根;含有1024个字,字长是4位;访问该RAM时,每次会选中4个存储单元。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?

    正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。

    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件,地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    利用电容的充电来存储数据,由于电路本身总有漏电,因此需定期不断补充充电(刷新)才能保持其存储的数据的是()
    A

    静态RAM的存储单元

    B

    动态RAM的存储单元


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    现有容量为256BX4的RAM,回答案:(1)该RAM应有多少条地址线?(2)该RAM含有多少个字?其字长是多少位?( )

    A.8,256,4
    B.8,256,8
    C.4,256,8
    D.8,128

    答案:A
    解析:

  • 第14题:

    要构成容量为4K×8的RAM,需要多少片容量为256×4的RAM?()

    • A、2
    • B、4
    • C、8
    • D、32

    正确答案:D

  • 第15题:

    若由2K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字的存储器时,需要该芯片数为()


    正确答案:32

  • 第16题:

    已知某RAM芯片的容量为4K×4b,该芯片有数据线D3~D0,地址线A11~A0,读写控制线WE和片选信号线CS。若用这种RAM芯片构成0000H~1FFFH与6000H~7000HRAM1与RAM2两个寻址空间的内存区,需要几块这种RAM芯片?共分几个芯片组?该RAM芯片有几根地址线?几根数据线?


    正确答案:RAM1存储空间范围为0000H~1FFFH,即8KB,需4片4K×4bRAM芯片。RAM2存储空间范围为6000H~7000H,即4KB,需两片4K×4bRAM芯片。

  • 第17题:

    动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?


    正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。

    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件,地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。

  • 第18题:

    有一个容量为256×4位的RAM,该RAM有()个基本存储单元,该RAM每次访问()个基本存储单元,该RAM有()根地址线。


    正确答案:1024;4;8

  • 第19题:

    用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。


    正确答案:错误

  • 第20题:

    RAM允许以任意顺序访问其存储单元;ROM不具有随机访问的能力。


    正确答案:错误

  • 第21题:

    判断题
    1024×1位的RAM中,每个地址中只有1个存储单元。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    有容量为256×4,64K×1,1M×8,128K×16为的ROM,试分别回答: (1)这些ROM有多少个基本存储单元? (2)这些ROM每次访问几个基本存储单元? (3)这些ROM个有多少个地址线?

    正确答案: (1)分别有1024个,1024×64个,1M×8,128K×16个
    (2)分别为4个,1个,8个,16个
    (3)分别有2,16,20,17条地址线
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    RAM允许以任意顺序访问其存储单元;ROM不具有随机访问的能力。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析