如图所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为，在与其相距x的A点处电场强度为（　　）。

题目
如图所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为，在与其相距x的A点处电场强度为（　　）。


相似考题

1.真空中点电荷q的电场在距离为R处的电场强度( )。A. B. C. D.

2.在真空中，半径为R的均匀带电半球面，其面电荷密度为σ，该半球面球心处的电场强度值为（　　）。

3.在真空中，有一半径为R的均匀带电球面，面密度为σ，球心处的电场强度为（　　）。

4.如图，半径为a，电荷线密度ρL（r）为常数的均匀带电圆环在轴线上的电场强度为（　　）。

更多“如图所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为，在与其相距x的A点处电场强度为（　　）。 ”相关问题

  • 第1题：

    无限大真空中一半径为a的球，内部均匀分布有体电荷，电荷总量为q。在r a的球外 任一点r处的电场强度的大小E为（）V/m。


    答案：D
    解析：

  • 第2题：

    在真空中，电荷体密度为P的电荷均匀分布在半径为a的整个球体积中，则在球体中心处的电场强度E为（　　）。（设球内的介电常数为εο）



    答案：B
    解析：
    假设无穷远处为零电位点，在球体外，点P的电场强度为：



    正电荷时方向为由球心到点P指向球外，负电荷时指向球内。
    在球体内，点P的电场强度为：



    当处于球心时，r=0，故点P的电场强度为0。（注意球体和球面电场分布的区别）

  • 第3题：

    真空中有一均匀带电球表面，半径为R，电荷总量为q，则球心处的电场强度大小应为下列哪项数值？（　　）



    答案：D
    解析：
    带电球体中心场强为0，分析如下取中性点半径为r的小球，其场强为：



    解得



    当 r→0时的极限，即电场强度E=0。
    【说明】根据高斯定理，在任意闭合曲面上，电位移向量的面积积分恒等于该闭合曲面内所有自由电荷的代数和，已知带电球面的自由电荷只是分布在表面，内部没有自由电荷，因此球心处的电场强度为0。这种现象又称为静电屏蔽效应，带电球面的中心处电场强度为0。

  • 第4题：

    在真空中，相距为α的两无限大均匀带电平板，面电荷密度分别为＋σ和-σ，两带电平板间的电位U应为下列哪项数值？（　　）



    答案：B
    解析：

  • 第5题：

    已知厚度为d的无限大带电导体平板，两表面上电荷均匀分布，电荷面密度均为σ，如图所示，则板外两侧的电场强度的大小为（）。



    A．
    B．
    C．
    D．


    答案：C
    解析：
    在导体平板两表面外侧取两对称平面，做侧面垂直平板的高斯面，根据高斯定理，考虑到两对称平面电场强度相等.且高斯面内电荷为2σS，可得E=σ/ε0

  • 第6题：

    如图所示．有一块无限大的原来不带电的金属平板MN，现将一个带电量为+Q的点电荷放置于板右侧．并使金属板接地，金属平板与点电荷之间的空间电场分布与等量异种电荷之间的电场分布类似。已知BCDE在以电荷+Q为圆心的圆上，则下列说法正确的是( )。

    A.C点和E点的场强相同
    B.B点的场强小于D点的场强
    C.D点的电势低于B点的电势
    D.负点电荷在B点的电势能大于在D点的电势能

    答案：D
    解析：
    由静电感应可知，金属板MN带负电荷，负电荷在C、E两点的场强水平向左，但点电荷在C、E两点的电场方向不同．故这两点合场强的方向不同，故选项A错误：点电荷和感应电荷在B点场强相加，方向水平向左，在D点的场强相减，水平向右，故B点场强大于D点场强，选项B错误；由于点电荷左侧MN的电势为0，点电荷右侧无限远电势为0，左侧电势下降较快。故B点电势较低，选项C错误；B点电势较低，负点电荷在B点电势能较大，故选项D正确。

  • 第7题：

    半径为R的均匀带电球面，若其电荷面密度为σ，则在距离球面R处的电场强度大小为( )。

    A．
    B．
    C．
    D．


    答案：C
    解析：

  • 第8题：

    半径为R的均匀带电球面，若其而电荷密度为σ，则在球而外距离球而R处的电场强度大小为（ ）。



    答案：C
    解析：

  • 第9题：

    真空中有一组带电导体，某一导体表面电荷面密度为处，其表面附近的电场强度大小E=Q/W，这电场强度E是由（）。

    • A、所有导体表面上的电荷产生的
    • B、场点附近的面电荷产生的
    • C、该导体上全部电荷产生的
    • D、该处无穷小面积元上的电荷产生的

    正确答案:A

  • 第10题：

    真空中有两块相互平行的无限大均匀带电平面A和B．A平面的电荷面密度为2ζ，B平面的电荷面密度为ζ，两面间的距离为d．当点电荷q从A面移到B面时，电场力做的功为多少？


    正确答案:两平面产生的电场强度大小分别为EA=2ζ/2ε0=ζ/ε0，EB=ζ/2ε0，
    两平面在它们之间产生的场强方向相反，因此，总场强大小为E=EA-EB=ζ/2ε0，方向由A平面指向B平面.
    两平面间的电势差为U=Ed=ζd/2ε0，
    当点电荷q从A面移到B面时，电场力做的功为W=qU=qζd/2ε0.

  • 第11题：

    由一根绝缘细线围成的边长为l的正方形线框，使它均匀带电，其电荷线密度为λ，则在正方形中心处的电场强度的大小E=（）


    正确答案:0

  • 第12题：

    单选题
    半径为R的均匀带电球面，若其电荷面密度为σ，则在距离球面R处的电场强度大小为(  )。
    A

    σ/ε0

    B

    σ/2ε0

    C

    σ/4ε0

    D

    σ/8ε0


    正确答案： C
    解析：

  • 第13题：

    真空中点电荷g的电场在距离为R处的电场强度如何表示？( )

    A.
    B.
    C.
    D.

    答案：A
    解析：

  • 第14题：

    无限大真空中一半径为a的带电导体球，所带体电荷在球内均匀分布，体电荷总量为q。在球外(即r a处)任一点r处的电场强度的大小E为（ ）V/m。


    答案：D
    解析：
    解带电金属球在无限大均匀介质中产生的电场强度E=V/m。
    答案:D

  • 第15题：

    无限大真空中一半径为a的带电导体球，所带体电荷在球内均匀分布，体电荷总量为q。球外（即r>a处）任一点r处的电场强度的大小E为（　　）V/m。



    答案：D
    解析：
    根据高斯定理，带电金属球在无限大均匀介质中产生的电场呈辐射对称状，半径为r的球面上电场强度大小相等，其值为：

  • 第16题：

    无限大真空中，一半径为a（a＜＜3m）的球，内部均匀分布有体电荷，电荷总量为q，在距离其3m处会产生一个电场强度为E的电场，若此球体电荷总量减小一半，同样距离下产生的电场强度应为（　　）。

    A．E/2
    B．2E
    C．E/1.414
    D．1.414E

    答案：A
    解析：
    由高斯定理：

    可得，在电荷不变，距离的情况下，减小带电量为之前的一半，电场强度也变为原来的一半。

  • 第17题：

    如图所示为电荷量为+p的小球放在不带电的孤立金属球附近，形成的电场线分布，a,b为电场中的两点，下列说法错误的是()。


    A．a点的电场强度比b点的大

    B．a点的电势比6点的高

    C．点电荷-q在a点的电势能比在b点的大

    D．点电荷-q从a点移到b点的过程中，电场力做负功

    答案：C
    解析：
    电场线的疏密表示场强的大小，A正确；a点所在的电场线从小球出发到不带电的金属球终止，所以a点的电势高于金属球的电势，而b点所在处的电场线从金属球发出到无穷远。所以金属球的电势高于6点的电势，因而口点电势高于6点电势．B正确；电势越高的地方，负电荷具有的电势能越小。即负电荷在a点的电势能较b点小，C错误；因点电荷-q在口点的电势能较b点小，则把-q电荷从电势能小的口点移动到电势能大的b点，电势能增大，电场力做负功，D正确。

  • 第18题：

    已知厚度为d的无限大带电导体平板，两表面上电荷均匀分布．电荷面密度均为σ，如图所示，则板外两侧的电场强度的大小为（　　）。




    答案：C
    解析：
    在导体平板两表面外侧取两对称平面，做侧面垂直平板的高斯面，根据高斯定理，考虑到

  • 第19题：

    如图所示，一圆环上均匀分布着正电荷，x垂直于环面且过圆心O。下列关于x轴上的电场强度和电势的说法中正确的是( )。

    A.0点的电场强度为零．电势最低
    B.0点的电场强度最大．电势最高
    C.从0点沿x轴正方向，电场强度减小，电势升高
    D.从0点沿x轴正方向，电场强度增大，电势降低

    答案：B
    解析：
    圆环上均匀分布着正电荷，根据对称性可知，圆环上的电荷在O点产生的场强抵消．合场强为零。圆环上的电荷产生的电场强度沿X轴正方向有向右的分量，根据电场的叠加原理可知．x轴上电场强度方向向右，根据沿电场线方向电势降低可知，在x轴上0点的电势最高．故A错误。B正确。0点的场强为零，无穷远处场强也为零，所以从0点沿x轴正方向，场强先增加后减小，x轴上电场强度方向，电势降低，故CD错误。

  • 第20题：

    电真空中无限长、半径为a的带电圆筒上电荷面密度为σ（σ是常数），则圆筒内与轴线相距r处的电场强度为（）。

    • A、0
    • B、aσ／ε0r）er
    • C、C.rσ／4πε0er
    • D、∞

    正确答案:A

  • 第21题：

    两无限大的带电平面，其电荷密度均为+σ，则两带电平面之间的场强为（）。


    正确答案:0

  • 第22题：

    一任意形状的带电导体，其电荷面密度分布为σ（x，y，z），则在导体表面外附近任意点处的电场强度的大小E（x，y，z）=（），其方向（）。


    正确答案:σ（x，y，z）/ε0；与导体表面垂直朝外（σ>0）或与导体表面垂直朝里（σ<0）

  • 第23题：

    单选题
    电真空中无限长、半径为a的带电圆筒上电荷面密度为σ（σ是常数），则圆筒内与轴线相距r处的电场强度为（）。
    A

    0

    B

    aσ／ε0r）er

    C

    C.rσ／4πε0er

    D

    ∞


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

相关内容