A.越好
B.越差
C.无变化
D.不确定
1.晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极
2.三极管的反向饱和电流受()影响较大.是造成三极管不稳定的主要因素.越小越好。A.电源B.反向电压C.制造工艺D.温度
3.二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安,温度每升高10摄氏度,其反向饱和电流增大一倍,当温度为50摄氏度时,反向饱和电流值为()微安。
4.使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?()A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
第1题:
当温度升高时,晶体管的反向饱和电流将减小。
第2题:
二极管的反向饱和电流越小,其单向导电性能就越好
第3题:
在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较 。
第4题:
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
第5题:
1. 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将 () A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定