下列选项是双向晶闸管的标识的是()。
A、FST
B、TRIAC
C、RCT
D、GTO
第1题:
20、同为四层结构的GTO能够用负门极电流关断的原因是()。
A.GTO阴极条宽窄
B.GTO阴极条宽宽
C.GTO工作在深饱和状态
D.GTO工作在临界饱和状态
第2题:
下列选项中,用于标识为静态方法的是()。
A.@classmethod
B.@instancemethod
C.@staticmethod
D.@privatemethod
第3题:
如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:
A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D.门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
第4题:
下列选项中,用于标识为静态方法的是()。
A.@staticmethod
B.@privatemethod
C.@instancemethod
D.@classmethood
第5题:
下列器件中,属于电流型驱动的是()
A.GTR
B.IGBT
C.SCR
D.GTO