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  • 第1题:

    30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

    A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

    B.IGBT是电压驱动型器件

    C.电力MOSFET存在二次击穿问题

    D.IGBT具有擎住效应


    AD

  • 第2题:

    从驱动方式来分,电力场效应晶体管(P-MOSFET)属于电压驱动型电力电子器件。


    全控型器件;电压驱动型器件;单极型器件

  • 第3题:

    下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。

    A.IGBT是电压驱动型器件

    B.IGBT具有擎住效应

    C.IGBT开关速度高于电力MOSFET

    D.电力MOSFET存在二次击穿问题


    IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件

  • 第4题:

    3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求?IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?


    晶闸管对触发电路的要求有:(1)触发电压必须与晶闸管的阳极电压同步; (2)触发电压应满足主电路移相范围的要求; (3)触发电压的前沿要陡,宽度要满足一定的要求; (4)具有一定的抗干扰能力;(5)触发信号应有足够大的电压和功率。

  • 第5题:

    7、主板是计算机的核心,其驱动程序主要包括以下哪几个。()

    A.芯片组驱动

    B.集成显卡驱动

    C.集成网卡驱动

    D.集成声卡驱动

    E.USB驱动


    芯片组驱动;集成显卡驱动;集成网卡驱动;集成声卡驱动;USB 驱动