驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()
第1题:
30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第2题:
从驱动方式来分,电力场效应晶体管(P-MOSFET)属于电压驱动型电力电子器件。
第3题:
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。
A.IGBT是电压驱动型器件
B.IGBT具有擎住效应
C.IGBT开关速度高于电力MOSFET
D.电力MOSFET存在二次击穿问题
第4题:
3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求?IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
第5题:
7、主板是计算机的核心,其驱动程序主要包括以下哪几个。()
A.芯片组驱动
B.集成显卡驱动
C.集成网卡驱动
D.集成声卡驱动
E.USB驱动