产生擎住效应的主要原因是什么?

题目
产生擎住效应的主要原因是什么?

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1.晶闸管的维持电流通常小于擎住电流，IH＜IL。()

2.由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

3.电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应

4.擎住效应 名词解释

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  • 第1题：

    8、擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。


    错

  • 第2题：

    10、晶闸管的擎住电流大于维持电流。


    正确

  • 第3题：

    1、晶闸管稳定导通的条件（）

    A．晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

    B．晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

    C．晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

    D．晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流


    晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

  • 第4题：

    IGBT具有擎住效应。


    略

  • 第5题：

    13、IGBT具有擎住效应。


    集电极电流过大;集电极电压上升过快;温度升高

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