简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。 - itgle

题目

简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。

相似考题

1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。

2.在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用()。A、限制输入电流的上升B、限制di/dt过大C、延长导通时间D、将功率因数提高到 0.9

3.写出如图空心变压器的输入的特性方程为()。A、u1=L1(di1/dt)+M(di2/dt)B、u1=L1(di1/dt)-M(di2/dt)C、其它

4.试简述泥浆护壁成孔灌注桩施工中常见问题、产生原因及其处理措施。

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第1题：

如图空心变压器的输出的特性方程为()。
A、u2=L1(di2/dt)-M(di1/dt)
B、u2=L2(di2/dt)-M(di12/dt)
C、其它

参考答案：B
第2题：

开通缓冲电路（di/dt抑制电路）的作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。

√
第3题：

简述油轮污染海洋的主要原因及其避免油污染的措施。

D
第4题：

简述操作技能学习的高原现象及其产生的主要原因。

答案：
解析：
(1)高原现象指在操作技能形成过程中，练习到一定阶段，其作业可能出现进步的暂时停止现象：表现为练习盐线保持在一定的水平而不再继续上升，甚至有所下降。但随着迸一步练习，突破高原期，练习曲线仍可有所上升。 (2)原因： ①旧的技能结构往往会限制以新的方式来组织动作，要取得继续进步，需要改变现有活动的结构及完成活动的方式方法； ②练习兴趣下降甚至产生厌倦情绪，或身体疲劳等，都会影响练习的态度和投入。
第5题：

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（）
A．du/dt抑制电路
B．抗饱和电路
C．di/dt抑制电路
D．吸收电路

抗饱和电路

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