集电结面积远远大于发射结面积，是为了保证集电结能够尽可能多地收集来自于发射区的多子，使得集电区电流大小直接受发射区电流大小控制。

题目

集电结面积远远大于发射结面积，是为了保证集电结能够尽可能多地收集来自于发射区的多子，使得集电区电流大小直接受发射区电流大小控制。

相似考题

1.要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,( )加反向电压。A.控制结B.集电区C.基区D.集电结

2.晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

3.关于三极管,不正确的描述是()A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

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  • 第1题：

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第2题：

    PNP三极管工作特点是（）.

    • A、发射区发射电子，集电区收集电子
    • B、发射区发射空穴，集电区收集电子
    • C、发射区发射电子，集电区收集空穴
    • D、发射区发射空穴，集电区收集空穴

    正确答案:D

  • 第3题：

    若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

    • A、发射结正偏、集电结正偏
    • B、发射结反偏、集电结反偏
    • C、发射结正偏、集电结反偏
    • D、发射结反偏、集电结正偏

    正确答案:A

  • 第4题：

    要使晶体管有电流放大作用，必须给发射结加正向电压，（）加反向电压。

    • A、控制结
    • B、集电区
    • C、基区
    • D、集电结

    正确答案:D

  • 第5题：

    要使三极管具有电流放大作用，则必须：（）。

    • A、发射结加正向电压，集电结加反向电压
    • B、发射结加反向电压，集电结加反向电压
    • C、发射结加正向电压，集电结加正向电压
    • D、发射结加反向电压，集电结加正向电压

    正确答案:A

  • 第6题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第7题：

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第8题：

    PN结位于发射区与基区之间被称为（）。

    • A、基极
    • B、发射结
    • C、集电结
    • D、以上选项均不正确

    正确答案:B

  • 第9题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第10题：

    半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结
    • D、集合结

    正确答案:C

  • 第11题：

    晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。

    • A、发射结反偏，集电结反偏
    • B、发射结反偏，集电结正偏
    • C、发射结正偏，集电结反偏
    • D、发射结正偏，集电结正偏

    正确答案:C

  • 第12题：

    问答题
    为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用？

    正确答案： 为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度高；基区宽度薄；集电结结面积比发射结面积大。
    其理由是，由于发射极的掺杂浓度高，所以在发射结的正向偏置的作用下，会有大量的载流子漂移到基区；漂移到基区的载流子积聚在发射结附近，而在集电结附近载流子浓度几乎为0（集电结反向偏置的缘故），由于浓度差异，积聚在发射结附近的电子会向集电结扩散，只有基区宽度很薄，才能保证向集电结扩散过程中只有很少一部分与基区的空穴复合，大多数载流子可以扩散到集电结附近；又因为集电区面积比较大，所以在集电结反向偏置下，就可以尽可能多的收集扩散到集电结附近的多数载流子。
    如果集电极和发射极对调，是不能起到放大作用的。因为集电极的掺杂浓度低，即使在集电结正向偏置的作用下，也没有足够多的载流子漂移到基区，且由于发射区的面积不够大，也不能将接近发射极的载流子大量的收集到发射极。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    正常放大时，三极管耗能最大的是（）.

    • A、发射区
    • B、基区
    • C、发射结
    • D、集电结

    正确答案:D

  • 第14题：

    三极管的集电区面积比发射区面积（）。

    • A、大
    • B、相等
    • C、小
    • D、不确定

    正确答案:A

  • 第15题：

    晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    三极管具有（）的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第17题：

    下列关于晶体三极管说法证确的是（）。

    • A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
    • B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
    • C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
    • D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

    正确答案:A

  • 第18题：

    叙述晶体三极管电流的传输过程（）。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第20题：

    关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第21题：

    三极管工作在饱和区时，发射结为（），集电结为（），工作在放大区时，发射结为（），集电结为（），此时，流过发射结的电流主要是（），流过集电结的电流主要是（）。


    正确答案:正偏；正偏；正偏；反偏扩散电流；漂移电流

  • 第22题：

    以下属于三极管放大的外部条件是（）

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第23题：

    三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结
    • D、集合结

    正确答案:C

  • 第24题：

    单选题
    若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）
    A

    发射结正偏、集电结正偏

    B

    发射结反偏、集电结反偏

    C

    发射结正偏、集电结反偏

    D

    发射结反偏、集电结正偏


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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