1、需要定时刷新的半导体存储器芯片是A．DRAMB．SRAMC．Flash MemoryD．EPROM

题目

1、需要定时刷新的半导体存储器芯片是

A．DRAM

B．SRAM

C．Flash Memory

D．EPROM

相似考题

1.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

2.某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，哪两个叙述是正确的?( )A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

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  • 第1题：

    半导体静态存储器SRAM的存储原理是(15)。

    A．依靠双稳态电路

    B．依靠定时刷新

    C．依靠读后再生

    D．信息不再变化


    正确答案：A
    解析：半导体静态存储器SRAM的存储原理是依靠双稳态电路维持数据信息，半导体动态存储器DRAM的存储原理是依靠定时刷新维持数据信息。

  • 第2题：

    半导体静态存储器SRAM的存储原理是( )。

    A．依靠双稳态电路

    B．依靠定时刷新

    C．依靠读后再生

    D．信息不再变化


    正确答案：A
    解析：静态半导体存储器，可随机读写，其存储的数据表示为晶体三极管构成的双稳态电路的电干，存储数据稳定，不需刷新。

  • 第3题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第4题：

    衡量半导体存储器的最重要的指标是存储器芯片的（）和存储速度。


    正确答案:容量

  • 第5题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第6题：

    半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？


    正确答案: 半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种：线选法和重合法。
    线选法：地址译码信号只选中同一个字的所有位，结构简单，费器材；
    重合法：地址分行、列两部分译码，行、列译码线的交叉点即为所选单元。这种方法通过行、列译码信号的重合来选址，也称矩阵译码。可大大节省器材用量，是最常用的译码驱动方式。

  • 第7题：

    需要定时刷新的存储器是（）

    • A、SRAM
    • B、DRAM
    • C、EPROM

    正确答案:B

  • 第8题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第9题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第10题：

    单选题
    半导体静态存储器 SRAM 的存储原理是（）。
    A

    依靠定时刷新

    B

    依靠双稳态电路

    C

    依靠读后再生

    D

    信息不再变化


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

    正确答案： （1），（4），（6）是正确的。
    （2），（3），（5）是错误的。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    半导体动态随机存储器需要每隔（）对其刷新一次。
    A

    1ms

    B

    2s

    C

    2μs

    D

    1ms～2ms


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在存储器系列中,需要定时刷新的器件有哪些()。

    A、EPROM

    B、DRAM;

    C、SRAM;

    D、SAM


    参考答案：BD

  • 第14题：

    下列关于SRAM的叙述，正确的是

    A.SRAM是一种随机存储器

    B.SRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.SRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.SRAM速度快，通常用来制作高速缓存

    E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABDE

  • 第15题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案：B
    解析：
    DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第16题：

    半导体动态随机存储器需要每隔（）对其刷新一次。

    • A、1ms
    • B、2s
    • C、2μs
    • D、1ms～2ms

    正确答案:D

  • 第17题：

    下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

    • A、半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型
    • B、半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失
    • C、静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失
    • D、动态存储器需要不断刷新

    正确答案:A,B,D

  • 第18题：

    半导体静态存储器 SRAM 的存储原理是（）。

    • A、依靠定时刷新
    • B、依靠双稳态电路
    • C、依靠读后再生
    • D、信息不再变化

    正确答案:B

  • 第19题：

    半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    静态半导体存储器SRAM指（）。

    • A、在工作过程中，存储内容保持不变
    • B、在断电后信息仍能维持不变
    • C、不需动态刷新
    • D、芯片内部有自动刷新逻辑

    正确答案:C

  • 第21题：

    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

    • A、按位结构方式存储
    • B、按字结构方式存储
    • C、信息在存储介质中移动
    • D、每隔一定时间进行一次刷新

    正确答案:D

  • 第22题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

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