抑制性突触后电位（）A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

题目

抑制性突触后电位（）

  • A、是“全或无”式的
  • B、有总和现象
  • C、幅度较兴奋性突触后电位大
  • D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
  • E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果
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1.兴奋性突触传递过程为()A、突触前膜释放兴奋性递质B、递质与突触后膜受体结合C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加D、突触后膜产生EPSPE、EPSP总和达到阈电位，突触后神经元产生动作电位

2.兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化

3.抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

4.兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是()A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果

参考答案和解析
正确答案:B,E
更多“抑制性突触后电位（）A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果”相关问题

  • 第1题：

    突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位

    A.K+、Cl-，尤其是K+

    B.Na+、Cl-，尤其是Na+

    C.K+、Cl-。尤其是Cl-

    D.ca2+、cl-尤其是Ca2+

    E.Na+、Cl-，尤其是Cl-


    正确答案：C
    略

  • 第2题：

    抑制性突触后电位( )

    A.是“全或无”式的
    B.有总和现象
    C.幅度较兴奋性突触后电位大
    D.是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
    E.是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

    答案：B,E
    解析：

  • 第3题：

    兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）

    • A、Cl-的通透性
    • B、K+的通透性
    • C、Na+的通透性
    • D、Mg2+的通透性

    正确答案:C

  • 第4题：

    关于兴奋性突触后电位（）

    • A、是突触前神经冲动引起的全或无反应
    • B、总是会引起动作电位的发生
    • C、重复刺激下可发生时间总和
    • D、突触后膜对Na+通透性较高
    • E、突触后膜对Ca2+通透性较高

    正确答案:C,D

  • 第5题：

    抑制性突触后电位（）

    • A、是"全或无"式的
    • B、可以发生总和
    • C、是突触后膜发生的局部超极化电位
    • D、是突触后膜对Cl通透性增加的结果
    • E、其幅度较兴奋性突触后电位大

    正确答案:B,C,D

  • 第6题：

    兴奋性突触后电位发生的机制是（）

    • A、突触后膜主要对K+通透性增加
    • B、突触后膜主要对Ca2+通透性增加
    • C、突触后膜主要对Cl-通透性增加
    • D、突触后膜主要对Mg2+通透性增加
    • E、突触后膜主要对Na+通透性增加

    正确答案:E

  • 第7题：

    单选题
    下列对兴奋性突触后电位的叙述，正确的是（　　）。
    A

    突触前神经元释放抑制性递质

    B

    突触后膜主要对Ca2＋通透性增加

    C

    突触后膜产生局部去极化

    D

    主要使突触后膜Cl－内流增加

    E

    兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜，呈双向传递


    正确答案： C
    解析：
    兴奋性突触后电位的形成是由于突触后膜对一价正离子（主要是Na＋）的通透性升高，引起Na＋内流，产生局部去极化的电位变化。

  • 第8题：

    单选题
    抑制性突触后电位（）
    A

    是去极化局部电位

    B

    是超极化局部电位

    C

    具有全或无特征

    D

    是突触前膜递质释放减少所致

    E

    是突触后膜对Na通透性增加所致


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（　　）。
    A

    Ca2+由膜外进入突触前膜内

    B

    突触前末梢去极化

    C

    突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D

    突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高

    E

    突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    抑制性突触后电位

    A. 具有“全或无”性质
    B. 是超极化电位
    C. 是兴奋性递质释放减少所致
    D. 有总和现象
    E. 突触后膜主要对C1-通透性增加所致

    答案：B,D,E
    解析：

  • 第11题：

    下列对兴奋性突触后电位的叙述，正确的是

    A:突触前神经元释放抑制性递质
    B:突触后膜主要对Ca2+通透性增加
    C:突触后膜产生局部去极化
    D:主要使突触后膜Cl-内流增加
    E:兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜，呈双向传递

    答案：C
    解析：
    兴奋性突触后电位的形成是由于突触后膜对一价正离子（主要是Na+）的通透性升高，引起Na+内流，产生局部除极的电位变化。

  • 第12题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）

    • A、Cl-的通透性
    • B、K+的通透性
    • C、Na+的通透性
    • D、Mg2+的通透性

    正确答案:A

  • 第13题：

    抑制性突触后电位（）

    • A、是“全或无”式的
    • B、有总和现象
    • C、幅度较兴奋性突触后电位大
    • D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
    • E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

    正确答案:B,E

  • 第14题：

    抑制性突触后电位（）

    • A、是去极化局部电位
    • B、是超极化局部电位
    • C、具有全或无特征
    • D、是突触前膜递质释放减少所致
    • E、是突触后膜对Na通透性增加所致

    正确答案:B

  • 第15题：

    多选题
    抑制性突触后电位（）
    A

    是“全或无”式的

    B

    有总和现象

    C

    幅度较兴奋性突触后电位大

    D

    是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果

    E

    是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    单选题
    突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
    A

    K+、Cl-，尤其是K+

    B

    Na+、Cl-，尤其是Na+

    C

    K+、Cl-，尤其是Cl-

    D

    Ca2+、Cl-，尤其是Ca2+

    E

    Na+、Cl-，尤其是Cl-


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    多选题
    抑制性突触后电位（）
    A

    是全或无式的

    B

    可以发生总和

    C

    是突触后膜发生的局部超极化电位

    D

    是突触后膜对Cl通透性增加的结果

    E

    其幅度较兴奋性突触后电位大


    正确答案： E,C
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    兴奋性突触后电位的形成是因为（　　）。
    A

    突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化

    B

    突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化

    C

    突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化

    D

    突触后膜对K+通透性升高，局部超极化

    E

    突触后膜对K+通透性升高，局部去极化


    正确答案： D
    解析：
    突触后膜在递质作用下发生去极化，使该突触后神经元的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位，形成原因是突触后膜在化学递质作用下，引起细胞膜对Na+、K+等离子的通透性增加，由于Na+内流大于K+的外流，所以主要是Na+内流，故出现细胞膜局部去极化电位。因此，答案选A。

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