高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区

题目

高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、剂量建成区和高剂量坪区
  • D、高剂量坪区和剂量跌落区
  • E、剂量跌落区和X射线污染区
相似考题

1.高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

2.由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少

3.电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小

4.当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

参考答案和解析
正确答案:A
更多“高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和”相关问题

  • 第1题：

    不属于高能电子束百分深度剂量的是（）

    • A、剂量建成区
    • B、低剂量坪区
    • C、高剂量坪区
    • D、X射线污染区
    • E、剂量跌落区

    正确答案:B

  • 第2题：

    关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。

    • A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区
    • B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区
    • C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区
    • D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减
    • E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

    正确答案:A

  • 第3题：

    关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）

    • A、剂量建成区
    • B、低剂量坪区
    • C、高剂量坪区
    • D、剂量跌落区
    • E、X射线污染区

    正确答案:B

  • 第4题：

    对于X射线，随着能量的增加，深度曲线剂量建成区变化为（）

    • A、能量越高，剂量建成区越宽
    • B、能量越高，剂量建成区越窄
    • C、能量越低，剂量建成区越宽
    • D、能量越低，剂量建成区越平坦
    • E、与能量无关

    正确答案:A

  • 第5题：

    单选题
    电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加（）。
    A

    表面剂量不变，高剂量坪区不变

    B

    表面剂量不变，高剂量坪区变宽

    C

    表面剂量增加，高剂量坪区变窄

    D

    表面剂量增加，高剂量坪区变宽

    E

    表面剂量减小，高剂量坪区变窄


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    单选题
    由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（　　）。
    A

    能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少

    B

    能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加

    C

    能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加

    D

    能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加

    E

    能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）
    A

    剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区

    B

    表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区

    C

    表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区

    D

    表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

    E

    剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）

    • A、电子束无明显建成效应
    • B、电子束的皮肤剂量较高
    • C、电子束的照射范围平坦
    • D、电子束射程较短
    • E、电子束容易被散射

    正确答案:E

  • 第9题：

    不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）

    • A、剂量建成区
    • B、高剂量坪区
    • C、X射线污染区
    • D、剂量跌落区
    • E、指数衰减区

    正确答案:E

  • 第10题：

    下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确（　）

    • A、从表面到一定深度，剂量分布均匀 
    • B、能量高表面剂量低，能量低表面剂量高 
    • C、在一定深度之后，剂量下降快 
    • D、随能量增加，下降梯度变小 
    • E、剂量建成区比较窄并随能量增加而变化

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。
    A

    大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区

    B

    大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区

    C

    大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区

    D

    剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减

    E

    和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    不属于高能电子束百分深度剂量的是（）
    A

    剂量建成区

    B

    低剂量坪区

    C

    高剂量坪区

    D

    X射线污染区

    E

    剂量跌落区


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单选题
    对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确？（）
    A

    表面剂量随能量的增加而增加

    B

    从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加

    C

    从dmax得到d80（d85）为治疗区，剂量梯度变化较小

    D

    D80（d85）以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯

    E

    度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

相关内容