全蚀刻体系是指（）A、能酸蚀釉质的制剂B、能酸蚀牙本质的制剂C、能酸蚀牙骨质的制剂D、既酸蚀釉质又能酸蚀牙本质的制剂E、既酸蚀牙本质又能酸蚀牙骨质的制剂

题目

全蚀刻体系是指（）

  • A、能酸蚀釉质的制剂
  • B、能酸蚀牙本质的制剂
  • C、能酸蚀牙骨质的制剂
  • D、既酸蚀釉质又能酸蚀牙本质的制剂
  • E、既酸蚀牙本质又能酸蚀牙骨质的制剂
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1.下列关于SCL的分装工序中,哪项顺序是正确的()。A、蚀刻标记—萃取—水合—品控—染色—封口灭菌—贴标签B、蚀刻标记—水合—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签C、蚀刻标记—水合—萃取—染色—品控—封口灭菌—贴标签D、水合—蚀刻标记—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签

2.TPM是日本的现代设备维修管理体系，其基本理念是“三全”，“三全”是指（）。A、全效率B、全方位C、全系统D、全员参加

3.全蚀刻体系是指（）A、能酸蚀釉质的制剂B、能酸蚀牙本质的制剂C、能酸蚀牙骨质的制剂D、既能酸蚀牙釉质又能酸蚀牙本质的制剂E、既能酸蚀牙釉质又能酸蚀牙骨质的制剂

4.全蚀刻体系是指A.能酸蚀釉质的制剂 B.能酸蚀牙本质的制剂 C.能酸蚀牙骨质的制剂 D.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙本质的制剂 E.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙骨质的制剂

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  • 第1题：

    晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。


    正确答案:氢氟酸

  • 第2题：

    判断题
    蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第3题：

    单选题
    鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。
    A

    鼓泡式蚀刻液的酸性更强

    B

    鼓泡式蚀刻通入空气

    C

    鼓泡式蚀刻液的酸性更强

    D

    鼓泡式蚀刻通入氧气


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第4题：

    多选题
    广义而言，所谓的蚀刻技术可以分为（）。
    A

    干蚀刻

    B

    湿蚀刻

    C

    中性蚀刻

    D

    无侧蚀蚀刻


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    单选题
    通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液（）。
    A

    浸泡式蚀刻

    B

    鼓泡式蚀刻

    C

    泼溅式蚀刻

    D

    喷淋式蚀刻


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    多选题
    在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。
    A

    传送速度太慢

    B

    pH值过高

    C

    蚀刻液比重偏低

    D

    蚀刻液温度不足


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    多选题
    酸性氯化铜蚀刻体系中常用的氯化物的种类为（）。
    A

    氯化钠

    B

    氯化氢

    C

    氯化钙

    D

    氯化镁


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    多选题
    蚀刻液的种类有（）。
    A

    酸性蚀刻液

    B

    碱性蚀刻液

    C

    中性蚀刻液

    D

    不知道


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    全蚀刻体系是指（）
    A

    能酸蚀釉质的制剂

    B

    能酸蚀牙本质的制剂

    C

    能酸蚀牙骨质的制剂

    D

    既酸蚀釉质又能酸蚀牙本质的制剂

    E

    既酸蚀牙本质又能酸蚀牙骨质的制剂


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    在印制板上形成导电图形的一般技术方式为（）。
    A

    湿蚀刻

    B

    干蚀刻

    C

    浅蚀刻

    D

    深蚀刻


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    不适宜在碱性氯化铜蚀刻液中蚀刻的抗蚀层是（）。
    A

    金

    B

    锡铅合金

    C

    油墨

    D

    镍


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    所有蚀刻工具要么是针嘴的，要么是平刃的。但是，有些平刃的蚀刻工具用于雕刻，有些不是。另一方面，所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此，用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真，能合乎逻辑地得出上述论证的结论？（）

    • A、大部分平刃的蚀刻工具不是用来雕刻的。
    • B、所有不用于雕刻的蚀刻工具都是平刃的。
    • C、针嘴的蚀刻工具与平刃的蚀刻工具一样多。
    • D、没有蚀刻工具既是针嘴的，又是平刃的。

    正确答案:C

  • 第14题：

    判断题
    能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第15题：

    填空题
    蚀刻技术可分为（）和干蚀刻两类。

    正确答案： 湿蚀刻
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    单选题
    硅片制备主要工艺流程是（）
    A

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    B

    单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    C

    单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包

    D

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    判断题
    酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    多选题
    酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高，会使（）。
    A

    盐酸挥发

    B

    抗蚀层破坏

    C

    溶液组分比例失调

    D

    无影响


    正确答案： A,B,C
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    在印制板的蚀刻操作中，希望有较高的蚀刻系数。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    多选题
    下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有（）。
    A

    蚀刻速率快

    B

    蚀刻速率比较容易控制

    C

    溶铜量大

    D

    再生容易


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。
    A

    传送速度太快

    B

    pH值太低

    C

    蚀刻液温度不足

    D

    喷淋压力不足


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
    A

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    B

    单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    C

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

    D

    单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    多选题
    影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。
    A

    等离子体蚀刻系统的形态

    B

    等离子体蚀刻的参数

    C

    光刻胶

    D

    待蚀刻薄膜的淀积参数条件


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

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