参考答案和解析
正确答案: 随机存取存储器
解析: 暂无解析
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  • 第1题:

    下述说法中______是正确的。

    A. 半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆;

    B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的;

    C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉时,所存信息是不易失的。

    D.两者所存信息都是不易失的。


    参考答案:C

  • 第2题:

    关于RAM和ITSM配合,以下说法错误的是:()

    • A、RAM不能和ITSM联动使用
    • B、RAM中做的配置,可以提交ITSM进行流程审核
    • C、RAM中的配置在通过流程审核后自动部署
    • D、除了RAM和ITSM外,需额外购买RAM和ITSM配合的授权

    正确答案:A,D

  • 第3题:

    断电后,计算机内存RAM和ROM中的数据()。

    • A、RAM,ROM都丢失
    • B、RAM丢失,ROM存在
    • C、RAM存在,ROM丢失
    • D、RAM、ROM都保存

    正确答案:B

  • 第4题:

    静态RAM是依靠()存储信息的,而动态RAM是依靠()来存储信息的。其中()RAM需要定期刷新。


    正确答案:双稳态电路;电容暂存电荷;动态

  • 第5题:

    试比较静态RAM和动态RAM的优缺点。


    正确答案:静态RAM不需要动态刷新,存取速度高,位容量低,功耗较高;动态RAM位密度高、功耗低、成本低,但需要专门的刷新电路每隔一定时间刷新存储信息,在刷新周期不能启动读写,故存取速度慢。

  • 第6题:

    静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么?动态RAM为什么需要刷新?进行刷新需要外部提供什么条件?


    正确答案:静态 RAM的存储元件是触发器,动态RAM的存储元件是电容。动态RAM的基本存储单元是靠电容上有无电荷表示存1或存0的。虽然基本存储单元中的MOS管是一种高阻抗器件,但不可能将阻抗做到无穷大,因此电容上的电荷经过一段时间就会泄漏掉,使“1”信息变成“0”,所以要周期性地进行信息重新写入,也就是要刷新。刷新一般采用“仅行地址有效”的方法,需要外部提供有效行地址,选中相应一行,同时,令列地址无效,即关闭所有的列选通管。刷新需由刷新控制器控制。

  • 第7题:

    动态RAM和静态RAM都需要定时刷新。


    正确答案:错误

  • 第8题:

    关于RAM以下述错误的是的()

    • A、RAM购买方式为功能授权加节点授权
    • B、RAM支持VXLAN编排
    • C、RAM支持虚拟机创建
    • D、RAM仅支持H3C设备的配置下发

    正确答案:A,D

  • 第9题:

    PLC的存储器的类型一般有()。

    • A、RAM、ROM、EEPROM
    • B、ROM、EEPROM
    • C、RAM、ROM
    • D、RAM、EEPROM

    正确答案:A

  • 第10题:

    何谓随机存取存储器RAM?静态RAM和动态RAM的本质区别是什么?动态RAM为什么要刷新?


    正确答案: (1)随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
    (2)静态RAM和动态RAM的本质区别是静态RAM不需要刷新,而动态RAM需要刷新。
    (3)存储在MOS管栅极电容上的信息,由于存在泄漏电阻而栅极电容上的电荷经过一定时间泄放,从而使存储的信息从“1”变为“0”,必须定期对原存信息“1”的单元进行电荷补充。另外,单管动态RAM在读出时,其存储内容受到破坏,属破坏性读出,需要信息再生。所以需要刷新。

  • 第11题:

    填空题
    静态RAM是依靠()存储信息的,而动态RAM是依靠()来存储信息的。其中()RAM需要定期刷新。

    正确答案: 双稳态电路,电容暂存电荷,动态
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    静态RAM与动态RAM有何区别?

    正确答案: (1)静态RAM内存储的信息只要电源存在就能一直保持,而动态RAM的信息需要定时刷新才能保持;
    (2)静态RAM的集成度比较低,运行速度快,而动态RAM的集成度高,运行相对较慢;
    (3)静态RAM造价成本高,动态RAM价格便宜。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    高速缓冲存储器(Cache)是( )。

    A.动态RAM
    B.异步RAM
    C.同步RAM
    D.静态RAM

    答案:D
    解析:
    高速缓冲存储器是存在于主存与CPU 之间的一级存储器,由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多,接近于CPU 的速度。故本题答案选D。

  • 第14题:

    随机存取存储器RAM既可以是动态的RAM(DRAM),也可以是静态的RAM(SRAM)。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    静态RAM与动态RAM的主要区别在哪里?


    正确答案:静态RAM与动态RAM的主要区别在于:动态RAM要刷新,而静态RAM不要。

  • 第16题:

    下列说法中正确的是()。 Ⅰ.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆  Ⅱ.动态RAM是易失性RAM,且静态RAM中的存储信息是不易失的  Ⅲ.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的  Ⅳ.半导体RAM是非易失性RAM

    • A、Ⅰ、Ⅱ
    • B、只有Ⅲ
    • C、Ⅱ、Ⅳ
    • D、全错

    正确答案:B

  • 第17题:

    动态RAM与静态RAM的主要不同点在于动态RAM需要()。


    正确答案:刷新

  • 第18题:

    静态RAM与动态RAM有何区别?


    正确答案:(1)静态RAM内存储的信息只要电源存在就能一直保持,而动态RAM的信息需要定 时刷新才能保持
    (2)静态RAM的集成度比较低,运行速度快,而动态RAM的集成度高,运行相对较 慢
    (3)静态RAM造价成本高,动态RAM 价格便宜

  • 第19题:

    随机存储器RAM中的信息可以随机地读出或写入,当读出RAM中的信息时()。

    • A、破坏RAM中原保存的信息
    • B、RAM中内容全部为1
    • C、RAM中的内容全部为0
    • D、RAM原有信息保持不变

    正确答案:D

  • 第20题:

    随机存储器RAM的特点是()。

    • A、RAM中只能读出信息
    • B、RAM中既不可写入、也不可读出信息
    • C、RAM中既可写入信息,也可读出信息
    • D、RAM中只能写入信息

    正确答案:C

  • 第21题:

    下列存储器按读写速度由高到低排列,正确的是()

    • A、RAM、cache、硬盘、光盘
    • B、cache、RAM、硬盘、光盘
    • C、RAM、硬盘、cache、光盘
    • D、cache、RAM、光盘、硬盘

    正确答案:B

  • 第22题:

    单选题
    下列说法中正确的是()。 Ⅰ.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆  Ⅱ.动态RAM是易失性RAM,且静态RAM中的存储信息是不易失的  Ⅲ.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的  Ⅳ.半导体RAM是非易失性RAM
    A

    Ⅰ、Ⅱ

    B

    只有Ⅲ

    C

    Ⅱ、Ⅳ

    D

    全错


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    What is the MOST significant difference between EDO RAM and fast page mode DRAM?()
    A

    EDO RAM is faster.

    B

    EDO RAM is slower.

    C

    EDO RAM is smaller.

    D

    EDO RAM is cheaper.


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。
    A

    没有区别

    B

    EDO RAM比FPM DRAM的快

    C

    FPM DRAM比EDO RAM的快

    D

    EDO RAM比FPM DRAM小

    E

    FPM DRAM比EDO RAM价格高


    正确答案: C
    解析: 暂无解析