便于操作
防止磨料成分污染金属表面
形成较规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
利于形成氧化膜
防止金属表面变色
第1题:
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第2题:
通过对金属基底冠进行除气,预氧化操作的目的是
A.便于遮色层附着
B.去除金属表面有机物
C.释放金属表层气体
D.释放金属内部应力
E.在金属表面形成氧化膜
第3题:
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50~100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第4题:
多方向打磨金属基底冠金-瓷结合面,易导致
A、金属基底变形
B、瓷层变色
C、瓷层气泡
D、瓷层断裂
E、底冠破损
第5题:
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是为了( )。
A、便于操作
B、防止磨料成分污染金属表面
C、形成较规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
D、利于形成氧化膜
E、防止金属表面变色
第6题:
第7题:
预膜的目的是为了给金属表面形成一层(),防止设备和管线的()。
第8题:
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是()
第9题:
用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物
用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
使用橡皮轮磨光金属表面
防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第10题:
用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
使用橡皮轮磨光金属表面
防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第11题:
便于操作
防止磨料成分污染金属表面
形成较规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
利于形成氧化膜
防止金属表面变色
第12题:
瓷结合不良
不透明瓷层出现裂纹
出现瓷气泡
金属氧化膜过厚
PFM冠变色
第13题:
金属基底冠要顺同一个方向打磨的目的是
A.便于操作
B.放置磨料成分污染表面
C.利于形成氧化膜
D.防止瓷层变色
E.形成较为规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
第14题:
通过对金属基底冠进行除气,预氧化操作不能达到的目的是
A.去除金属表面有机物
B.释放金属表层气体
C.释放金属内部应力
D.在金属表面形成氧化膜
E.降低金属热膨胀系数
第15题:
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后,以下操作步骤错误的是
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第16题:
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第17题:
第18题:
受热面酸洗后进行钝化处理的目的是()
第19题:
利用防锈油脂的特性,将防锈油脂喷涂在金属表面,(),防止在金属表面形成水膜和氧化层,以达到防锈的目的。
第20题:
使金属与空气隔绝
保护金属表面
形成一层油脂
牢固附着表面
第21题:
金属基底变形
瓷层变色
瓷层气泡
瓷层断裂
底冠破损
第22题:
第23题:
便于操作
防止磨料成分污染金属表面
形成较规则的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
利于形成氧化膜
防止金属表面变色
第24题:
①、③正确
②、④正确
①、④正确
②、③正确