名词解释题雪崩击穿

题目
名词解释题
雪崩击穿
相似考题

1.二极管的击穿分两种,分别是()。A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿

2.二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿

3.由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

4.二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP

参考答案和解析
正确答案： 当二极管加有反向电压时，P-N结的空间电荷区内的电场强度随着电压加大而加大，形成反向电流的双方的少数载流子漂移速度加快，动能增大，碰撞未电离的半导体原子，从而产生新的电子空穴，如此循环，这个过程称为雪崩击穿。
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  • 第1题：

    当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()

    A.雪崩击穿

    B.齐纳击穿

    C.热击穿

    D.碰撞击穿


    正确答案：A

  • 第2题：

    在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。

    • A、限制电压
    • B、最大工作电压
    • C、击穿电压
    • D、残压

    正确答案:C

  • 第3题：

    简述雪崩和本征电击穿的区别。


    正确答案:本征击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的，而“雪崩”击穿是考虑到高场强时，导电电子倍增过程逐渐达到难以忍受的程度，导致介质晶格破坏。

  • 第4题：

    齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。


    正确答案:5V；7V；负；正

  • 第5题：

    PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。


    正确答案:齐纳

  • 第6题：

    名词解释题
    电介质的击穿

    正确答案： 当施加在电介质上的电压增大到一定值时，使电介质失去绝缘性的现象称为击穿（breakdown）。
    击穿形式：
    1）电击穿，是一电过程，仅有电子参与；
    2）热击穿；
    3）化学击穿
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    名词解释题
    击穿延时

    正确答案： 从间隙两端加上脉冲电压后，一般均要经过一小段延续时间，工作液介质才能被击穿放电，这一小段时间称为击穿延时。击穿延时与平均放电间隙的大小有关，工具欠进给时，平均放电间隙变大，平均击穿延时就大；反之，工具过进给时，放电间隙变小，也就小。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    多选题
    雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）
    A

    待机

    B

    钳制

    C

    击穿

    D

    短路


    正确答案： D,A
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  • 第9题：

    名词解释题
    寄生晶体管击穿

    正确答案： 寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET击穿过程中出现的负阻效应。
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  • 第10题：

    名词解释题
    雪崩效应

    正确答案： 当外电场撤除之后，绝缘再也不能恢复的叫做永久性击穿（或称为雪崩效应）。
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  • 第11题：

    名词解释题
    雪崩倍增效应

    正确答案： 是在二极管的P-N结上加高反向电压形成的。此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的院子发生碰撞，使带价的电子得到能量，越过禁带到导带，产了新的电子-空穴对，如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    名词解释题
    击穿

    正确答案： 击穿主要由于介质中存在缺陷、杂质，介质老化，金属离子迁移形成导电沟道或边缘飞弧放电，介质材料内部气隙击穿或介质电击穿，介质机械损伤，介质材料分子结构改变等原因导致。
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  • 第13题：

    雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）

    • A、待机
    • B、钳制
    • C、击穿
    • D、短路

    正确答案:A,B

  • 第14题：

    二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。

    • A、雪崩、齐纳
    • B、虚、实
    • C、电压、电流
    • D、PN、NP

    正确答案:A

  • 第15题：

    二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）

    • A、雪崩击穿
    • B、齐纳击穿
    • C、热击穿
    • D、碰撞击穿

    正确答案:A

  • 第17题：

    雪崩击穿


    正确答案: 当二极管加有反向电压时，P-N结的空间电荷区内的电场强度随着电压加大而加大，形成反向电流的双方的少数载流子漂移速度加快，动能增大，碰撞未电离的半导体原子，从而产生新的电子空穴，如此循环，这个过程称为雪崩击穿。

  • 第18题：

    名词解释题
    火花塞的击穿电压

    正确答案： 使火花塞两电极间产生电火花所需要的电压，称火花塞击穿电压。
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  • 第19题：

    填空题
    PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

    正确答案： 小,小
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  • 第20题：

    判断题
    雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
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  • 第21题：

    名词解释题
    雪崩光电二极管

    正确答案： 利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度的探测器。
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  • 第22题：

    判断题
    齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
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  • 第23题：

    名词解释题
    齐纳击穿

    正确答案： 当PN结加上较高反向电压，产生的强电场能把价电子从共价键中拉出来，产生新的电子--空穴对，使空间电荷还产生大量的载流子，这些载流子在电场作用下迅速移动，使反向电流突然增大，这种击穿称为齐纳击穿。
    解析： 暂无解析

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