第1题:
晶闸管断态重复峰值电压(又称正向阻断峰值电压)的数值,规定比正向转折电压小()V。
第2题:
可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。
第3题:
当快速熔断器熔断时,应检查整流管的()。
第4题:
硅整流二极管的额定电压是指()。
第5题:
晶闸管的额定电压是指()。
第6题:
正向峰值电压
第7题:
晶闸管的额定电压是在()中取较小的一个。
第8题:
可控硅主要参数有:正向阻断峰值电压、()、()、控制极触发电压、维持电流等。
第9题:
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
第10题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件一的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第11题:
70
80
90
100
第12题:
第13题:
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。
第14题:
断开控制极后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。
第15题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第16题:
硅整流二极管的额定电压是指()。
第17题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。
第18题:
当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。
第19题:
若晶闸管正向重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。
第20题:
晶闸管的主要参数有()。
第21题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第22题:
通常所说多少伏的可控硅,是指它的()是多少伏。
第23题:
死区电压
击穿电压
截止电压
峰值电压
第24题: