描述探头对视野之外的源的屏蔽能力
对患者本身FOV之外放射性的屏蔽:用与探头平面的垂直距离为20cm点源,在距探头FOV边缘前后10cm、20cm、30cm的最大屏蔽计数与在FOV中心处计数率的百分比表示
对周围环境放射性的屏蔽:将点源置于距探头中心1m,距探头两侧及前后2m处。用探头分别朝上、下、左、右时的计数率与FOV中心处计数率的百分比表示对周围环境放射性的屏蔽性能
屏蔽泄漏=最大屏蔽计数率/FOV中心计数率×100%
探头屏蔽性能反映了患者本身FOV之外放射性和周围环境放射性这两种影响的程度
第1题:
探头屏蔽性能测试时,每一个测算位置的计数都不应该超过本底标准差的
A、3倍
B、5倍
C、10倍
D、20倍
E、100倍
第2题:
下列关于有源屏蔽的描述正确的是
A、屏蔽线圈与超导主线圈中电流方向相同
B、屏蔽线圈需要使用超导材料制作
C、有源屏蔽的重量大于无源屏蔽
D、有源屏蔽的屏蔽效能低于自屏蔽
E、有源屏蔽线圈不需要浸泡在液氦中
第3题:
A、磁屏蔽的主要目的是减小边缘场的范围
B、磁屏蔽分为有源屏蔽和无源屏蔽两种
C、无源屏蔽使用铜板做屏蔽材料
D、无源屏蔽使用铁磁性屏蔽体
E、有源屏蔽由一个磁屏蔽线圈或多个线圈组成
第4题:
对屏蔽导线(或屏蔽电缆)的屏蔽层接地有以下描述,正确的是()
第5题:
下列辐射防护方法不属于屏蔽防护的是()。
第6题:
以下选项中,在OTNM2000界面屏蔽设置中可以屏蔽的有()。
第7题:
γ照相机探头有效视野内最大计数率和最小计数率的差异程度,称为()
第8题:
氧化锆探头安装后,参比气孔与标准气孔应朝();探头至转换器的屏蔽线应完好。
第9题:
放射性药物弹丸质量
采集足够的计数率
采集前注意探头的面源均匀性
注意γ相机的能峰和窗宽
右心室峰值计数率应是每帧50毫秒至少:100k
第10题:
注意γ相机的能峰和窗宽
放射性药物“弹丸”质量
采集前注意探头的面源均匀性
采集足够的计数率
右心室峰值计数率应是每帧50毫秒至少100k
第11题:
描述探头对源的响应能力
指某一探头对特定点源的灵敏度
用单位活度在单位时间内的计数表示
系统平面灵敏度也称灵敏度
与准直器的类型、窗宽、源的种类及形状有关
第12题:
空间分辨率
能量分辨率
固有分辨率
积分均匀度
微分均匀度
第13题:
下列有关计数率特征的描述,错误的是
A、当视野中的活度较低时,γ相机计数率随活度的增加而增加
B、当活度增加到一定值时,计数率开始随活度的增加而保持不变
C、计数率特征是描述计数率随活度的变化特征
D、由最大观察计数率、20%丢失时观察计数率及观察计数率随活度的变化曲线表示
E、计数率特征分固有(无准直器,源在空气中)计数率特征和有散射系统(有准直器,源在水中)计数率特征两种情况
第14题:
关于磁屏蔽的描述,错误的是
A、磁屏蔽的主要目的是减小边缘场的范围
B、磁屏蔽分为有源屏蔽和无源屏蔽两种
C、无源屏蔽使用铜板做为屏蔽材料
D、无源屏蔽使用铁磁性屏蔽体
E、有源屏蔽由一个磁屏蔽线圈或线圈系统组成
第15题:
把干扰源置于屏蔽()的屏蔽方式,称为主动屏蔽
第16题:
用纵波直探头在远场区内探伤,找到缺陷最大回波后,缺陷的中心位置()
第17题:
安装微量水分分析仪探头与显示器之间的电缆时,()因素对电缆的分布电容产生的影响最大。
第18题:
岩性密度测井仪本底各窗口的计数率(在稳谱状态)一般在下列范围:长源距窗口计数率(NLS)为(),短源距窗口计数率(NSS)为();岩性能窗口计数率(NLITH)为()。
第19题:
首次通过法心室造影的质量控制,错误的是()
第20题:
磁屏蔽的主要目的是减小边缘场的范围
磁屏蔽分为有源屏蔽和无源屏蔽两种
无源屏蔽使用铜板做屏蔽材料
无源屏蔽使用铁磁性屏蔽体
有源屏蔽由一个磁屏蔽线圈或多个线圈组成
第21题:
当视野中的活度较低时,γ相机计数率随活度的增加而增加
当活度增加到一定值时,计数率开始随活度的增加而保持不变
计数率特征是描述计数率随活度的变化特征
由最大观察计数率、20%丢失时观察计数率及观察计数率随活度的变化曲线表示
计数率特征分固有(无准直器,源在空气中)计数率特征和有散射系统(有准直器,源在水中)计数率特征两种情况
第22题:
内
外
圈
层
第23题:
在任何情况下都位于探头中心正下方
位于探头中心左下方
位于探头中心右下方
未必位于探头中心正下方