单选题需通过光敏元件成像的探测器是（）A 空气电离室B CCD探测器C 多丝正比电离室D 半导体狭缝扫描仪E 直接转换平板探测器

题目
单选题
需通过光敏元件成像的探测器是（）
A

空气电离室

B

CCD探测器

C

多丝正比电离室

D

半导体狭缝扫描仪

E

直接转换平板探测器

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1.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

2.数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影

3.多丝正比电离室探测器是A.间接探测器 B.直接探测器 C.动态探测器 D.平板探测器 E.模拟探测器

4.目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影

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  • 第1题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是

    A.闪烁体+CCD摄像机阵列
    B.非晶硒平板探测器
    C.碘化铯+非晶硅探测器
    D.半导体狭缝线阵探测器
    E.多丝正比电离室

    答案：B
    解析：
    DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

  • 第2题：

    应用CCD面阵结构的成像设备是（）

    • A、扫描仪
    • B、数码照相机
    • C、CR数字X线摄影
    • D、半导体狭缝扫描仪
    • E、直接转换平板探测器

    正确答案:B

  • 第3题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是（）

    • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:B

  • 第4题：

    DR成像设备类型包括（）。

    • A、非晶硒平板型探测器
    • B、非晶硅平板探测器型
    • C、IP成像方式
    • D、多丝正比室扫描投影DR
    • E、CCD摄像机型DR

    正确答案:A,B,D,E

  • 第5题：

    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）

    • A、硒鼓检测器
    • B、IP成像转换器
    • C、直接转换平板探测器
    • D、间接转换平板探测器
    • E、多丝正比室检测器

    正确答案:C

  • 第6题：

    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）

    • A、CCD检测器
    • B、IP成像转换器
    • C、直接转换平板探测器
    • D、间接转换平板探测器
    • E、多丝正比室检测器

    正确答案:C

  • 第7题：

    单选题
    多丝正比电离室探测器是（）
    A

    直接探测器

    B

    间接探测器

    C

    模拟探测器

    D

    平板探测器

    E

    动态探测器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    属于DR成像直接转换方式的部件是（）
    A

    闪烁体+CCD摄像机阵列

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    碘化铯+非晶硅探测器

    D

    半导体狭缝线阵探测器

    E

    多丝正比电离室


    正确答案： B
    解析： DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

  • 第9题：

    单选题
    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）
    A

    硒鼓检测器

    B

    IP成像转换器

    C

    直接转换平板探测器

    D

    间接转换平板探测器

    E

    多丝正比室检测器


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    目前最常用的DR系统为（　　）。
    A

    CsI＋CCD阵列

    B

    非晶硅平板探测器

    C

    非晶硒平板探测器

    D

    多丝正比电离室

    E

    计算机X线摄影


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是

    A.增感屏
    B.非晶硒平板探测器
    C.碘化铯+非晶硅探测器
    D.半导体狭缝线阵探测器
    E.多丝正比电离室

    答案：C
    解析：
    DR成像间接转换方式的部件是碘化铯+非晶硅探测器，X线照射碘化铯，X线光子转换为可见光，可见光激发非晶硅光电二极管阵列产生电信号。

  • 第12题：

    需通过光敏元件成像的探测器是（）

    • A、空气电离室
    • B、CCD探测器
    • C、多丝正比电离室
    • D、半导体狭缝扫描仪
    • E、直接转换平板探测器

    正确答案:B

  • 第13题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是（）

    • A、增感屏
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:C

  • 第14题：

    应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）

    • A、硒鼓探测器，
    • B、IP成像转换器，
    • C、直接转换平板探测器，
    • D、间接转换平板探测器，
    • E、多丝正比室检测器

    正确答案:D

  • 第15题：

    多丝正比电离室探测器是（）

    • A、直接探测器
    • B、间接探测器
    • C、模拟探测器
    • D、平板探测器
    • E、动态探测器

    正确答案:A

  • 第16题：

    单选题
    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（　　）。
    A

    硒鼓检测器

    B

    CR成像板（IP）

    C

    直接转换平板探测器

    D

    间接转换平板探测器

    E

    多丝正比室检测器


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    属于DR成像间接转换方式的部件是（）
    A

    增感屏

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    碘化铯+非晶硅探测器

    D

    半导体狭缝线阵探测器

    E

    多丝正比电离室


    正确答案： C
    解析： DR成像间接转换方式的部件是碘化铯+非晶硅探测器，X线照射碘化铯，X线光子转换为可见光，可见光激发非晶硅光电二极管阵列产生电信号。

  • 第18题：

    单选题
    应用CCD面阵结构的成像设备是（）
    A

    扫描仪

    B

    数码照相机

    C

    CR数字X线摄影

    D

    半导体狭缝扫描仪

    E

    直接转换平板探测器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（　　）。
    A

    间接转换平板探测器

    B

    硒鼓检测器

    C

    直接转换平板探测器

    D

    IP成像转换器

    E

    多丝正比室检测器


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    数字X线摄影（DR）不包括（　　）。
    A

    直接转换平板探测器

    B

    间接转换平板探测器

    C

    多丝正比室探测器

    D

    闪烁体＋CCD摄像机阵列

    E

    线扫描计算机X线摄影


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

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